CN112271179B 有源区结构以及形成有源区结构的方法 （福建省晋华集成电路有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112271179B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202011285381.4

(22)申请日2020.11.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112271179A

(43)申请公布日2021.01.26

(56)对比文件

CN107818980A,2018.03.20CN213366597U,2021.06.04审查员刘希燕

(73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司

地址362200福建省泉州市晋江市集成电

路科学园联华大道88号

(72)发明人许耀光童宇诚朱贤士周运帆

郭鹏

(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限

公司11372专利代理师吴大建陈敏

(51)Int.CI.

H10B12/00(2023.01)权利要求书3页说明书10页附图10页

(54)发明名称

有源区结构以及形成有源区结构的方法

(57)摘要

CN112271179B本公开提供一种有源区结构以及形成有源区结构的方法，该有源区结构包括设置于所述有源层上的有源区；其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、第一封闭边界和第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。这种结构可以均衡有源器件单元与其边界的应力，防止器件单元因为应力不均而损

CN112271179B

1024

10241022103

1021

1023

A

CN112271179B权利要求书1/3页

2

1.一种有源区结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述衬底上方的有源层；

设置于所述有源层上的有源区；

其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、围绕所有所述第一有源线和所述第二有源线的第一封闭边界，以及围绕于所述第一封闭边界外围的第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交，所述第二有源线不与所述第一封闭边界接触；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置；

所述第一器件单元之间通过第一浅沟槽隔离，所述第一浅沟槽内设置绝缘层。

2.根据权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述第一有源线的两端均延伸至所述第一封闭边界范围外。

3.根据权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，

靠近所述第一封闭边界的所述第一器件单元与所述第一封闭边界相交；

所述第二器件单元不与所述第一封闭边界接触。

4.根据权利要求3所述的有源区结构，其特征在于，与所述第一封闭边界相交的所有所述第一器件单元的长度各不相同。

5.根据权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述第二器件单元之间通过第一浅沟槽隔离，所述第一封闭边界与所述第二封闭边界之间通过第二浅沟槽隔离。

6.根据权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述第一有源线的线宽与所述第二有源线的线宽相同。

7.一种形成有源区结构的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，并在所述衬底上方形成有源层；

在所述有源层上方形成牺牲层，并对所述牺牲层进行图案化处理，以在所述有源层上方形成牺牲层图案；其中，所述牺牲层图案包括沿预设方向的若干间隔设置的分隔图案单元，以及围绕所有所述分隔图案单元的封闭的第一边界图案单元，所述分隔图案单元的两端均与所述第一边界图案单元相交；

在所述牺牲层图案的每个图案单元的侧壁上形成间隔物；

对所述间隔物之间进行填充，形成包覆所述牺牲层图案的填充层，去除所述填充层中的间隔物，以在所述有源层上方形成填充层图案；其中，所述填充层图案包括与所述分隔图案单元间隔且交替的填充图案单元，以及围绕于所述第一边界图案单元外围的封闭的第二边界图案单元，所述填充图案单元不与所述第一边界图案单元接触；

对所述分隔图案单