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Infineon英飞凌模块FZ1500R33HL3数据表.pdf

Infineon英飞凌模块FZ1500R33HL3数据表.pdf

    FZ1500R33HL3

    IHM-B模块

    IHM-B模块采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管

    特性

    •电气特性

    -VCES=3300V

    -ICnom=1500A/ICRM=3000A

    -高直流电压稳定性

    -高短路能力

    -低VCEsat

    -无与伦比的坚固性

    -T=150°C

    vjop

    -VCEsat带正温度系数

    •机械特性

    -碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循环能

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