南京师范大学《模拟电子技术》2017-2018学年期末试卷.pdfVIP

南京师范大学2017/2018学年第一学期

《模拟电子技术B》期末试卷A卷

院(系)班级学号姓名

题号一二三四五六七八九总分

得分

得分一、选择填空题（共25空，每空1分，共计25分）

1.随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度A，而多数

载流子的浓度C。A、明显增大，B、明显减小，C、变化较

小

自2.利用二极管的B实现整流；利用稳压管的A实现稳压。

觉A、反向击穿特性，B、单向导电性，C、正向导通特性，D、电容特性

遵装3.放大器中引入电压串联负反馈后，输出电阻B、输入电阻A。

守

订

A、增大，B、减小，C、不变，D、不确定

考4.题图所示功率放大电路中功放管的导通角为90o。

试

线

规

5.某场效应管的转移特性如题图所示，可判断该管应为D。

则内

A、P沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管

，C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管

诚

不

信

6.某放大电路的传输函数为Auj的折线近似幅频特性如题图所示。该放大器的中频

5

考要

增益为90dB，在上限频率点的增益为87dB，上限角频率为210rad/s。



H

试

，答+UCCi.

D/mA.

绝

RB120lgAu/dB

90

不题

V1

+

uiVD1+C60

作_RWu+30

o

弊

V2RLf/Hz

_

0

RB20uGS/V1101