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基于第一性原理的MgS与MgSe物性对比研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，MgS和MgSe作为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，凭借其独特的物理性质，在众多领域展现出了广阔的应用前景。

从光学领域来看，MgS和MgSe具有较大的带隙，这使得它们在紫外光探测器、发光二极管（LED）等光电器件中极具潜力。以紫外光探测器为例，在环境监测中，可用于检测大气中的臭氧、氮氧化物等污染物，这些污染物在紫外波段有特定的吸收和发射特征，MgS和MgSe基探测器能够敏锐捕捉这些信号，为环境质量评估提供数据支持；在生物医学检测方面，可用于检测生物分子的荧光信号，帮助研究人员了解生物分子的结构和功能。在LED应用中，通过合理调控MgS和MgSe的能带结构，有望开发出高效的紫外LED，用于杀菌消毒、光固化等领域。比如在水净化处理中，紫外LED可以有效杀灭水中的细菌和病毒，相较于传统的化学消毒方法，更加环保和高效。

在电子学领域，它们可作为新型半导体器件的基础材料。随着电子设备不断向小型化、高性能化发展，对半导体材料的性能提出了更高要求。MgS和MgSe的电子迁移率等电学特性使其有可能应用于高速、低功耗的晶体管中，为下一代集成电路的发展提供新的选择。例如，在移动设备处理器中，采用基于MgS或MgSe的晶体管，有望降低功耗，延长电池续航时间，同时提高运算速度。

然而，要充分挖掘MgS和MgSe的应用潜力，深入理解其物理性质的本质至关重要。第一性原理研究方法基于量子力学原理，从电子层面出发，无需借助任何经验参数，能够准确地计算材料的各种物理性质，如晶体结构、电子结构、力学性质、光学性质等。通过第一性原理计算，可以深入探究MgS和MgSe内部原子间的相互作用、电子的分布和运动规律，从而揭示其物理性质的微观起源。这不仅有助于解释实验中观察到的现象，还能为材料的性能优化和新应用的开发提供理论指导。例如，在设计新型光电器件时，可以根据第一性原理计算结果，有针对性地对MgS和MgSe进行掺杂或施加外部电场、应力等，以调控其能带结构和光学性质，提高器件的性能。

1.2国内外研究现状

国内外学者运用第一性原理对MgS和MgSe物性展开了一系列研究。在晶体结构方面，通过基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算，对MgS和MgSe的不同晶体相，如岩盐相（B1）、闪锌矿相（B3）、纤锌矿相（B4）等进行了结构稳定性分析。研究发现，在不同的压力和温度条件下，它们的稳定相可能会发生转变。如在常温常压下，MgS和MgSe的岩盐相较为稳定，但随着压力的增加，可能会出现向其他相转变的趋势。这些研究结果与实验测量的晶格常数等结构参数基本相符，为进一步研究其物性奠定了基础。

在电子结构研究中，计算结果表明MgS和MgSe均为间接带隙半导体。早期利用局域密度近似（LDA）方法计算得到的MgS带隙值约为2.74eV，MgSe带隙值约为1.70eV。然而，LDA方法通常会低估半导体的带隙值。为了更准确地获取带隙信息，后续研究引入了准粒子GW近似（G为格林函数，W为库仑屏蔽相互作用）对带隙进行修正，修正后的MgS带隙值约为4.15eV，MgSe带隙值约为2.74eV。这些研究对于理解它们在光电器件中的光电转换机制具有重要意义。

在光学性质研究上，通过第一性原理计算了MgS和MgSe的介电函数、吸收系数等光学参数。结果显示，它们在紫外波段有较强的吸收，这与它们在紫外光探测器等领域的潜在应用相契合。研究还探讨了外界因素如应力、掺杂对其光学性质的影响。例如，施加一定的拉伸应力可以改变其能带结构，进而调节其吸收边的位置，为实现光学性能的调控提供了理论依据。

尽管已有研究取得了不少成果，但仍存在一些不足。一方面，对于MgS和MgSe在复杂环境下，如高温、高压以及强电磁场中的物性研究还不够深入。在实际应用中，这些材料可能会面临各种极端条件，深入了解其在这些条件下的性能变化对于其可靠性和稳定性评估至关重要。另一方面，目前对MgS和MgSe与其他材料组成的异质结构的研究相对较少。异质结构在新型半导体器件中具有独特的优势，通过研究MgS和MgSe与其他材料的界面相互作用和协同效应，有望开发出性能更优异的器件。

本研究拟在已有研究基础上，进一步拓展研究范围，深入探究MgS和MgSe在复杂条件下的物性，并系统研究其与其他材料组成异质结构的特性，为其在半导体领域的广泛应用提供更全面、深入的理论支持，这也是本研究的创新点和必要性所在。

1.3研究内容与方法

本研究将从多个方面深入探究MgS和MgSe的物理性质。