嵌入式系统的存储器系统课件.pptVIP

引腳連接：1).數據線DQ0-DQ15

這個與2410的數據匯流排對應連接就可以了。2).行/列地址線A0-A12

由於2410是按照位元組尋址，但SDRAM是16Bit半字寬度，所以連接時需要錯開一位，將A0連到處理器的A1，而如果系統是通過兩塊k4s561632串聯實現32Bit數據寬度，所以需要進行字對齊連接，將A0接到A2地址匯流排上，其他順次接。3).Bank地址線BA0-BA1

在2410的手冊裏面，有個SDRAMBANKADDRESSPINCONNECTION表，裏面規定了不同組織結構的SDARM的Bank地址線。所以首先要明白記憶體的組織結構，看K4S56163的晶片手冊，標注：4M*16Bit*4Banks。

這表示每個Bank有4M大小，即由行列地址確定的存儲單元個數為4M個，16Bit是位寬，即每個存儲單元存儲的數據大小為16bit半字，一共包含有4個Bank，所以這個SDRAM的總容量為32MB(256Mbit)。根據這個就可以確定Bank地址線為A[24:23]。

4).控制引腳

由於2410集成了SDRAM的管理器，所以接到相應的管腳就是了，主要是行選通RAS，列選通CASE，寫使能WE，LDQM和UDQM數據I/O遮罩用於在讀模式下控制輸出緩衝，在寫模式下遮罩輸入數據，CS片選接在nGS6，即是把SDARM掛接在Bank6上，另外還有時鐘控制線，電源等。SDRAMBank地址配置目前常用的SDRAM為8位/16位的數據寬度，工作電壓一般為3.3V。主要的生產廠商為HYUNDAI，Winbond等，同類型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式，可以通用。S3C2410A與SDRAM記憶體HY57V561620介面電路如圖4.4.5所示。HY57V561620存儲容量為4組×64M位，工作電壓為3.3V，常見封裝為TSOP-54，相容LVTTL介面，支持自動刷新（Auto-Refresh）和自刷新（Self-Refresh），16位數據寬度。HY57V561620引腳功能如表4.4.4所示。嵌入式系統的記憶體系統

4.1記憶體系統概述4.1.1記憶體系統的層次結構電腦系統的記憶體被組織成一個6個層次的金字塔形的層次結構，如圖4.1.1所示：S0層為CPU內部寄存器S1層為晶片內部的高速緩存（cache）S2層為晶片外的高速緩存（SRAM、DRAM、DDRAM）S3層為主記憶體（Flash、PROM、EPROM、EEPROM）S4層為外部記憶體（磁片、光碟、CF、SD卡）S5層為遠程二級存儲（分佈式檔系統、Web伺服器）圖4.1.1記憶體系統層次結構在這種記憶體分層結構中，上面一層的記憶體作為下一層記憶體的高速緩存。CPU寄存器就是cache的高速緩存，寄存器保存來自cache的字；cache又是記憶體層的高速緩存，從記憶體中提取數據送給CPU進行處理，並將CPU的處理結果返回到記憶體中；記憶體又是主記憶體的高速緩存，它將經常用到的數據從Flash等主記憶體中提取出來，放到記憶體中，從而加快了CPU的運行效率。嵌入式系統的主記憶體容量是有限的，磁片、光碟或CF、SD卡等外部記憶體用來保存大資訊量的數據。在某些帶有分佈式檔系統的嵌入式網路系統中，外部記憶體就作為其他系統中被存儲數據的高速緩存。4.2.1常見的嵌入式系統存儲設備1．RAM（隨機記憶體）RAM可以被讀和寫，地址可以以任意次序被讀。常見RAM的種類有SRAM（StaticRAM，靜態隨機記憶體）、DRAM（DynamicRAM，動態隨機記憶體）、DDRAM（DoubleDataRateSDRAM，雙倍速率隨機記憶體）。其中，SRAM比DRAM運行速度快，SRAM比DRAM耗電多，DRAM需要週期性刷新。2．ROM（只讀記憶體）ROM在燒入數據後，無需外加電源來保存數據，斷電後數據不丟失，但速度較慢，適合存儲需長期保留的不變數據。在嵌入式系統中，ROM用固定數據和程式。4.2嵌入式系統存儲設備分類3．FlashMemoryFlashmemory（閃速記憶體）是嵌入式系統中重要的組成部分，用來存儲程式和數據，掉電後數據不會丟失。但在使用FlashMemory時，必須根據其自身特性，對存儲系統進行特殊設計，以保證系統的性能達到最優。FlashMemory是一種非易失性記憶體，根據結構的不同可以將其分成NORFlash和NANDFlash兩