氮化镓基材料光谱特性的深度剖析与应用探索.docx

氮化镓基材料光谱特性的深度剖析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代社会中的地位愈发重要。氮化镓基材料作为第三代半导体的典型代表，凭借其独特的物理性质，在光电子领域展现出了巨大的应用潜力，成为了科研人员关注的焦点。

氮化镓（GaN）是一种直接宽带隙半导体材料，禁带宽度约为3.4电子伏特，这一数值远高于硅（Si）和砷化镓（GaAs）等传统半导体材料。其宽带隙特性使得氮化镓基材料在光电子器件应用中具有诸多优势。例如，在发光二极管（LED）领域，氮化镓基蓝光LED的发明引发了照明技术的革命，使得白光LED照明得以实现，相比传统照明方式，具有更