硅、锗衬底上稀土金属氧化物薄膜：分子束外延生长、结构及物理特性解析.docxVIP

硅、锗衬底上稀土金属氧化物薄膜：分子束外延生长、结构及物理特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术持续演进的进程中，器件尺寸不断朝着更小的方向发展。随着特征尺寸的缩小，传统的二氧化硅（SiO?）栅介质由于其较低的介电常数（k≈3.9），在维持栅极电容的同时，不得不减薄其物理厚度，这导致了严重的漏电流问题，对器件的性能和功耗产生了极大的负面影响。为了解决这一关键问题，高K材料应运而生。高K材料是指介电常数比SiO?高数倍甚至十几倍的一类材料，如氧化铪（HfO?，ε_r≈25）、氧化锆（ZrO?，ε_r≈30）等。使用高K材料作为栅介质，在保持相同栅电容的情况下，能够增加介质层的物理厚度，从而有效地降低栅极漏电流，提升器件的性能和可靠性。

在众多高K材料中，稀土金属氧化物凭借其独特的物理和化学性质，逐渐成为研究的热点。稀土元素具有丰富的电子能级和特殊的电子构型，这赋予了稀土金属氧化物许多优异的性能，如高介电常数、良好的光学性能、磁性以及催化活性等。在半导体器件中，将稀土金属氧化物生长在硅、锗衬底上，有望进一步提升器件的性能，拓展其应用领域。

硅作为目前半导体产业中最常用的衬底材料，具有良好的电学性能、成熟的制备工艺和广泛的应用基础。然而，随着对器件性能要求的不断提高，硅衬底的一些局限性也逐渐显现出来。锗则具有较高的载流子迁移率，其空穴、电子迁移率分别为1900cm2/V.s、3900cm2/V.s，是硅中空穴、电子迁移率的4.2倍和2.6倍。这使得锗在追求更高速度和更低功耗的器件应用中具有很大的潜力。此外，锗还具有较低的掺杂激活温度，有利于浅结的形成，那些由于热稳定性差在硅工艺中不能应用的高K材料或金属栅电极在锗中可以获得应用。因此，研究稀土金属氧化物在硅、锗衬底上的生长、结构及其物理特性，对于开发高性能的半导体器件具有重要的意义。

具体而言，通过深入研究稀土金属氧化物在硅、锗衬底上的分子束外延生长工艺，可以精确控制薄膜的生长质量、厚度和界面特性，为制备高质量的薄膜提供技术支持。对薄膜结构的分析能够揭示其晶体结构、晶粒取向和缺陷分布等信息，从而深入理解薄膜的生长机制和结构与性能之间的关系。对薄膜物理特性的研究，如电学、光学和磁学性能等，有助于探索其在新型半导体器件中的潜在应用，如高迁移率晶体管、光电器件和磁性存储器件等。这不仅能够推动半导体技术的发展，满足日益增长的对高性能器件的需求，还可能为新型器件的研发开辟新的道路。

1.2国内外研究现状

在过去的几十年里，国内外科研人员在硅、锗衬底上稀土金属氧化物薄膜的研究方面取得了一系列重要成果。

在生长工艺方面，分子束外延（MBE）、原子层沉积（ALD）等技术被广泛应用于稀土金属氧化物薄膜的制备。MBE技术能够在原子尺度上精确控制薄膜的生长，制备出高质量、原子级平整的薄膜。有研究利用MBE技术在硅衬底上成功生长了氧化镧（La?O?）薄膜，并通过优化生长参数，实现了对薄膜厚度和生长速率的精确控制。ALD技术则具有自限制生长的特点，能够制备出均匀性好、厚度可控的薄膜。有学者采用ALD技术在锗衬底上生长了氧化铒（Er?O?）薄膜，通过调整反应气体的流量和沉积周期，获得了高质量的薄膜。

在结构研究方面，X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）等技术被用于分析薄膜的晶体结构和微观形貌。XRD结果表明，在特定的生长条件下，稀土金属氧化物薄膜可以在硅、锗衬底上形成择优取向的晶体结构。TEM图像则能够清晰地显示薄膜与衬底之间的界面结构和晶格匹配情况。有研究通过TEM观察发现，在锗衬底上生长的氧化镱（Yb?O?）薄膜与锗衬底之间存在良好的晶格匹配，界面处的缺陷密度较低。

在物理特性研究方面，电学性能是研究的重点之一。研究表明，稀土金属氧化物薄膜的介电常数较高，能够有效地降低器件的漏电流。有研究报道，在硅衬底上生长的氧化钪（Sc?O?）薄膜的介电常数达到了15以上，相比传统的SiO?栅介质，能够显著提高器件的性能。光学性能方面，稀土金属氧化物薄膜具有丰富的发光特性，可应用于光电器件。如氧化铕（Eu?O?）薄膜在可见光范围内具有强烈的发光峰，可用于制备发光二极管和荧光显示器等。磁学性能方面，部分稀土金属氧化物表现出独特的磁性，为磁性存储器件的研发提供了新的材料选择。有研究发现，在硅衬底上生长的氧化钆（Gd?O?）薄膜具有一定的铁磁性，有望应用于磁性随机存取存储器（MRAM）中。

尽管国内外在该领域取得了诸多成果，但仍存在一些不足之处。例如，在生长工艺方面，如何进一步提高薄膜的生长质量和生长速率，降低制备成本，仍然是亟待解决的问题。在结构研究方面，对于薄膜中的缺陷形成机制和控制方法的研究还不