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新型IGBT多阶段驱动方法：原理、优势与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为核心功率器件，扮演着举足轻重的角色，堪称电力电子装置的“CPU”。IGBT是一种由双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它巧妙融合了两者的优势，既具备MOSFET的高输入阻抗、驱动功率小、开关速度快以及热稳定性好等特性，又拥有BJT导通压降低、载流能力强的优点，这使得IGBT能够在高电压、大电流的严苛条件下稳定运行，有效