2025年（微电子科学与技术）功率半导体器件试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）功率半导体器件试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.功率半导体器件能够承受较大的（）。

A.电压B.电流C.功率D.频率

2.以下哪种不属于功率半导体器件（）。

A.二极管B.三极管C.晶闸管D.场效应管

3.功率MOSFET的开关速度（）。

A.快B.慢C.适中D.不确定

4.IGBT是由（）和MOSFET组成的复合器件。

A.二极管B.三极管C.晶闸管D.场效应管

5.功率半导体器件的导通电阻（）。

A.越大越好B.越小越好C.适中最好D.无影响

6.以下关于晶闸管的说法正确的是（）。

A.可以自行关断B.不能自行关断C.导通后电流不能调节D.以上都不对

7.功率半导体器件的散热方式不包括（）。

A.风冷B.水冷C.自然散热D.辐射散热

8.当功率半导体器件工作在高频状态时，会出现（）。

A.开关损耗增大B.导通损耗增大C.无影响D.不确定

9.以下哪种功率半导体器件具有自关断能力（）。

A.晶闸管B.二极管C.IGBTD.普通三极管

10.功率半导体器件的耐压能力与（）有关。

A.材料B.结构C.工艺D.以上都是

11.以下哪种不是功率半导体器件的应用领域（）。

A.电力系统B.通信系统C.计算机芯片D.电动汽车

12.功率MOSFET的栅极驱动电流（）。

A.大B.小C.适中D.不确定

13.IGBT的开通时间主要取决于（）。

A.集电极电流上升时间B.栅极电容充电时间C.饱和压降D.关断时间

14.晶闸管的触发方式有（）。

A.电触发B.光触发C.热触发D.以上都是

15.功率半导体器件的反向电流（）。

A.越大越好B.越小越好C.适中最好D.无影响

16.以下哪种功率半导体器件常用于DC-DC变换器（）。

A.二极管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管

17.功率半导体器件的封装形式不包括（）。

A.TO-220B.DIPC.BGAD.陶瓷封装

18.当功率半导体器件承受过高电压时，可能会发生（）。

A.击穿B.烧毁C.性能下降D.以上都可能

19.功率半导体器件的关断时间主要取决于（）。

A.集电极电流下降时间B.栅极电容放电时间C.饱和压降D.开通时间

20.以下关于功率半导体器件的说法错误的是（）。

A.可用于电能的转换和控制B.工作频率越高越好C.需要考虑散热问题D.不同器件有不同特性

第II卷（非选择题共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，答案写在相应位置。每题5分，共4题。

1.简述功率半导体器件的主要作用。

u功率半导体器件主要用于电能的转换和控制，如将交流电转换为直流电，实现电压、电流的变换与调节，广泛应用于电力系统、工业控制、交通运输等领域，是现代电力电子技术的核心部件。/u

2.说明IGBT的工作原理。

uIGBT是由三极管和MOSFET组成的复合器件。当栅极加正电压时，MOSFET导通，为三极管提供基极电流，使三极管导通，集电极电流增大；当栅极电压为零时，MOSFET关断，三极管基极电流消失，集电极电流减小，从而实现对电流的控制。/u

3.分析功率MOSFET的优点。

u功率MOSFET具有开关速度快、驱动功率小、输入阻抗高、热稳定性好等优点。这些优点使其在高频、高效的电力电子应用中具有很大优势，例如在开关电源、电机驱动等领域得到广泛应用。/u

4.阐述晶闸管的导通和关断条件。

u晶闸管导通条件：阳极加正向电压，门极加适当正向触发脉冲。晶闸管关断条件：阳极电流小于维持电流，或者给阳极加反向电压。/u

（二）讨论题（共40分）

答题要求：请对问题进行分析讨论，答案写在相应位置。每题10分，共4题。

1.讨论功率半导体器件在电动汽车中的应用及发展趋势。

u功率半导体器件在电动汽车中用于电机驱动、电池管理等。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件的性能要求不断提高，如更高的耐压、更低的导通电阻、更快的开关速度等。未来，宽禁带半导体器件如