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2025年（微电子科学与技术）微电子器件原理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下哪种器件不属于微电子器件（）

A.晶体管B.集成电路C.电阻D.发电机

答案：D

2.微电子器件中，决定其电学性能的关键因素是（）

A.材料的颜色B.材料的纯度C.材料的形状D.材料的重量

答案：B

3.二极管的主要特性是（）

A.单向导电性B.双向导电性C.放大作用D.稳压作用

答案：A

4.晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的状态是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

答案：A

5.集成电路中，实现逻辑功能的基本单元是（）

A.晶体管B.电阻C.电容D.门电路

答案：D

6.以下哪种工艺是制造微电子器件的关键工艺（）

A.光刻工艺B.焊接工艺C.组装工艺D.打磨工艺

答案：A

7.微电子器件的功耗主要与以下哪个因素有关（）

A.器件的尺寸B.器件的重量C.器件的颜色D.器件的价格

答案：A

8.半导体材料中，本征半导体的导电特性是（）

A.导电能力很强B.导电能力较弱C.不导电D.与杂质有关

答案：B

9.对于MOS晶体管，栅极电压对沟道电流的控制作用基于（）

A.静电感应B.电磁感应C.热效应D.化学效应

答案：A

10.微电子器件的集成度不断提高，主要是为了（）

A.减小体积B.增加重量C.提高成本D.降低性能

答案：A

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.微电子器件的特点包括（）

A.体积小B.功耗低C.速度快D.可靠性高

答案：ABCD

2.常见的半导体材料有（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.铜

答案：ABC

3.晶体管的三个电极分别是（）

A.发射极B.基极C.集电极D.漏极

答案：ABC

4.集成电路按功能可分为（）

A.数字集成电路B.模拟集成电路C.功率集成电路D.射频集成电路

答案：ABCD

5.制造微电子器件的材料需要具备的特性有（）

A.良好的导电性B.良好的绝缘性C.合适的半导体特性D.高强度

答案：ABC

6.影响二极管反向电流的因素有（）

A.温度B.反向电压C.材料特性D.光照

答案：ABC

7.MOS晶体管的优点有（）

A.功耗低B.集成度高C.速度快D.工艺简单

答案：ABC

8.微电子器件的发展趋势包括（）

A.更小的尺寸B.更高的集成度C.更低的功耗D.更高的性能

答案：ABCD

9.半导体中杂质的作用有（）

A.改变导电类型B.提高导电能力C.降低成本D.改善材料稳定性

答案：AB

10.集成电路设计中需要考虑的因素有（）

A.功能要求B.功耗要求C.面积要求D.成本要求

答案：ABCD

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.微电子器件只能用于电子设备，不能用于其他领域。（）

答案：错误

2.晶体管的放大倍数是固定不变的。（）

答案：错误

3.集成电路的制造过程中，光刻工艺的精度对器件性能没有影响。（）

答案：错误

4.半导体材料的导电能力不会随温度变化。（）

答案：错误

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.微电子器件是指在________尺寸下工作的电子器件。

答案：微小

2.二极管的阳极电位高于阴极电位时，二极管处于________状态。

答案：导通

3.晶体管的电流放大倍数β等于________电流与基极电流之比。

答案：集电极

4.集成电路制造中，光刻的目的是将________图形转移到半导体材料上。

答案：电路

5.MOS晶体管的栅极与沟道之间是通过________绝缘的。

答案：二氧化硅

6.半导体的导电能力介于________和绝缘体之间。

答案：导体

7.微电子器件的性能指标包括________、速度、功耗等。

答案：精度

8.集成电路按制造工艺可分为________集成电路和薄膜集成