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表面等离激元赋能ZnO基LEDs：电致发光增强机制与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，发光二极管（LEDs）作为一种高效、节能、环保的光源，在照明、显示、光通信等领域得到了广泛的应用。ZnO作为一种重要的宽禁带直接带隙半导体材料，具有3.37eV的宽禁带宽度和高达60meV的激子束缚能，在短波长发光器件方面展现出了广阔的应用前景。其在室温甚至高于室温下能够实现高效的激子发射，有望用于制备紫外发光器件（LEDs）、紫外激光器（LDs）等短波长光发射器件，在信息、光通信、白光照明、医学以及生物等领域发挥重要作用，成为半导体器件研究的热点。

然而，ZnO基发光器件在实际应用中仍面临着诸多挑战，其中最为突出的问题便是发光效率不高。ZnO材料本身存在缺陷，且p型掺杂困难，导致空穴浓度难以提高，这使得载流子复合效率降低，影响了发光效率。此外，ZnO的高折射率和自吸收特性，会造成全反射损失，进一步降低了发光效率，阻碍了ZnO基发光二极管（LEDs）和激光器的实用化发展。因此，提高ZnO基发光器件的紫外发光效率成为实现其实际应用的关键一步。

表面等离激元（SurfacePlasmon，SP）是一种在金属与介质界面处产生的集体振荡现象，当光照射到金属表面时，金属中的自由电子与光子相互作用，形成表面等离激元。它具有高度局域场增强、亚波长尺度的光场限制以及与金属表面的强耦合等特性，为解决ZnO基LEDs发光效率低的问题提供了新的途径。将表面等离激元引入ZnO基LEDs中，利用其与ZnO中的激子之间的耦合作用，可以加快ZnO近带边辐射跃迁速率，抑制缺陷复合发光及其它非辐射过程，从而有效提高器件的电致发光强度和发光效率。

研究表面等离激元增强ZnO基LEDs电致发光，不仅能够深入理解光与物质在纳米尺度下的相互作用机制，为表面等离激元在半导体发光器件中的应用提供理论基础，而且对于推动ZnO基LEDs的实用化进程，实现其在紫外照明、光通信、生物医学检测等领域的广泛应用具有重要的现实意义，有望为相关领域的发展带来新的突破。

1.2国内外研究现状

在ZnO基LEDs的研究方面，国内外学者已经开展了大量的工作。由于ZnO的p型掺杂困难，早期研究尝试采用多种方法来解决这一问题，如选择合适的掺杂元素和优化生长工艺等，但效果仍不理想。后来，研究人员采用p型GaN为衬底制作n-ZnO/p-GaN异质结构LEDs，然而界面缺陷和弱的载流子限制效应导致异质结LEDs发光效率较低。为改善这种情况，有研究在n-ZnO/p-GaN异质结中引入宽带隙的AlN电子势垒层，不仅将复合发光过程限制在n-ZnO一侧，还抑制了界面处GaOx非辐射复合中心的形成，有效改善了异质结界面质量，使器件电致发光性能得到明显提高。

在表面等离激元增强发光的研究领域，近年来取得了众多重要进展。国内外研究人员通过在半导体材料中引入金属纳米颗粒、纳米结构等方式来激发表面等离激元，实现对发光的增强作用。在ZnO基LEDs中，研究发现通过在n-ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒，利用ZnO中的激子与Ag局域态表面等离激元的耦合作用，可使器件的电致发光强度增大约4倍。此外，还有研究采用PS球/TiOx模板法在GaN衬底上制备大面积高度有序的外延ZnO纳米棒阵列，通过PMMA填充纳米棒间隙制作基于有序ZnO纳米棒的LEDs，并研究不同ZnO纳米结构对器件性能的影响，以及采用石墨烯作为电流扩展层简化器件工艺的可能性。

在理论研究方面，科研人员运用各种数值模拟方法，如有限元方法（FEM）、时域有限差分法（FDTD）等，对表面等离激元与ZnO基LEDs的相互作用机制进行深入分析，为实验研究提供理论指导。通过模拟可以精确分析表面等离激元的激发条件、传播特性以及与激子的耦合效率等，从而优化器件结构设计，进一步提高表面等离激元对ZnO基LEDs电致发光的增强效果。

尽管国内外在ZnO基LEDs及表面等离激元增强发光方面取得了一定的成果，但仍存在一些问题有待解决。如表面等离激元与ZnO的耦合效率还有提升空间，对表面等离激元增强电致发光的微观机制尚未完全明晰，以及如何在提高发光效率的同时保持器件的稳定性和可靠性等，这些问题都需要进一步深入研究。

1.3研究内容与方法

1.3.1研究内容

ZnO基LEDs的制备与性能表征：采用合适的制备工艺，如分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法，制备高质量的ZnO基LEDs结构