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- 2026-01-20 发布于重庆
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(12)按照专利合作条约所公布的国际申请
(19)世界知识产权组织国际局
(43)国际公布日
2025年7月10日(10.07.2025)
WIPOIPCT
(10)国际公布号
WO2025/145812A1
(51)国际专利分类号:
H10F77/20(2025.01)
(21)国际申请号:PCT/CN2024/134828
(22)国际申请日:2024年11月27日(27.11.2024)
(25)申请语言:中文
(26)公布语言:中文
(30)优先权:
202410017395.X2024年1月5日(05.01.2024)CN
(71)申请人:通威太阳能(眉山)有限公司(TONGWEI
SOLAR(MEISHAN)CO.,LTD.)[CN/CN];中国四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号620041(CN)。
(72)发明人:周凡(ZHOU,Fan);中国四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号620041(CN)。周华(ZHOU,Hua);中国四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号620041(CN)。何宇(HE,Yu);中国四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号620041(CN)。
(74)代理人:华进联合专利商标代理有限公司(ADVANCECHINAIPLAWOFFICE);中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房(部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途)510623(CN)。
(81)指定国(除另有指明,要求每一种可提供的国家保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,
(54)Title:SOLARCELLANDPREPARATIONMETHODTHEREFOR,ANDPHOTOVOLTAICMODULE
(54)发明名称:太阳电池及其制备方法、光伏组件
WO2025/145812A1
WO2025/145812A1
图1
(57)Abstract:Thepresentinventionrelatestoasolarcellandapreparationmethodtherefor,andaphotovoltaicmodule.Thesolarcellcomprises:anN-typesubstrate;apatternedfirstpassivationcontactstructure,whichisarangedonalight-receivingsurfaceofthesubstrate,andcomprisesafirstdielectriclayerhavingathicknesslessthanorequalto2nmandanN-typefirstdopedpolysiliconlayer;asecondpassivationcontactstructure,whichisarrangedontheentirebacklightsurfaceofthesubstrate,andcomprisesaseconddielectriclayerhavingathicknessgreaterthan2nmandhavingathroughholeandaP-typeseconddopedpolysiliconlayer
[见续页]
WO2025/145812A1
GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,
IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,
LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,
MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,
PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,
S
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