CN114121713B 衬底处理装置及半导体装置的制造方法 （铠侠股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114121713B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202110163164.6

(22)申请日2021.02.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114121713A

(43)申请公布日2022.03.01

(30)优先权数据

2020-1429202020.08.26JP

(73)专利权人铠侠股份有限公司地址日本东京

(72)发明人中冈聰桥本有司藤田博

(51)Int.CI.

H01L21/67(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

(56)对比文件

US2020006093A1,2020.01.02US2007221254A1,2007.09.27审查员王雪梅

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限

责任公司11287专利代理师杨林勳

权利要求书2页说明书7页附图11页

(54)发明名称

衬底处理装置及半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN114121713B本申请案涉及一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种可容易提高衬底面内的药液处理的均匀性的衬底处理装置。一实施方式的衬底处理装置具备：处理槽，存放处理多块衬底的药液；配管，具有将药液或气泡喷出到处理槽内的喷出口；多根杆状体，在处理槽内支撑多块衬底；及转换机构，设置在多根杆状体或处理槽，将由从配管喷出的药液或气泡施

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CN114121713B权利要求书1/2页

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1.一种衬底处理装置，其中具备：

处理槽，存放处理多块衬底的药液；

配管，具有将所述药液或气泡喷出到所述处理槽内的喷出口；

多根杆状体，在所述处理槽内支撑所述多块衬底；及

转换机构，设置在所述多根杆状体或所述处理槽，将由从所述配管喷出的所述药液或所述气泡施加到各衬底的振动转换成以所述衬底的中心为旋转轴的一方向旋转；

所述转换机构包含：

多个凹部，沿着所述多块衬底的排列方向设置在各杆状体；及

山脉状的多个突起部，设置在各凹部的底部，朝所述一方向倾斜。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中

所述配管具有喷出所述药液的第1配管、及喷出所述气泡的第2配管，

在所述第2配管连接着产生所述气泡的气泡产生器。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述多根杆状体的一部分设置在所述处理槽的内侧面或盖部。

4.一种衬底处理装置，其中具备：

处理槽，存放处理多块衬底的药液；

配管，具有将所述药液或气泡喷出到所述处理槽内的喷出口；

多根杆状体，在所述处理槽内支撑所述多块衬底；及

转换机构，设置在所述多根杆状体或所述处理槽，将由从所述配管喷出的所述药液或所述气泡施加到各衬底的振动转换成以所述衬底的中心为旋转轴的一方向旋转；

所述转换机构包含：

第1杆状体，是所述多根杆状体中的一根；

第2杆状体，相对于所述衬底的中心而与所述第1杆状体非对称配置，与所述第1杆状体在不同时间支撑所述多块衬底；及

第3杆状体，配置在所述第1杆状体与所述第2杆状体之间，与所述第1杆状体或所述第2杆状体中的任一者同时支撑所述多块衬底。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中

所述配管具有喷出所述药液的第1配管、及喷出所述气泡的第2配管，

在所述第2配管连接着产生所述气泡的气泡产生器。

6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中所述多根杆状体的一部分设置在所述处理槽的内侧面或盖部。

7.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中从所述第1杆状体到所述第3杆状体的直线距离，与从所述第2杆状体到所述第3杆状体的直线距离不同。

8.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中在所述第1杆状体、所述第2杆状体及所述第3杆状体各自的外周面的一部分贴附着防滑片。

9.一种半导体装置的制造方法，其中

将多块衬底浸渍到存放在处理槽内的药液中，

将所述药液或气泡喷出到所述处理槽内，

一面将由喷出的所述药液或所述气泡施加到各衬底的振动转换成以所述衬底的中心

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为旋转轴的一方向旋转，一面蚀刻形成在所述衬底的膜；由多根杆状体支撑所述多块衬底，