CN114994500B 高压驱动芯片的过流检测电路及过流检测方法 (国硅集成电路技术(无锡)有限公司).docxVIP

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  • 2026-01-20 发布于重庆
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CN114994500B 高压驱动芯片的过流检测电路及过流检测方法 (国硅集成电路技术(无锡)有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114994500B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202210552600.3

(22)申请日2022.05.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114994500A

(43)申请公布日2022.09.02

(73)专利权人国硅集成电路技术(无锡)有限公

地址214000江苏省无锡市经济开发区高

浪东路999-8-C1-1001-1011室

(72)发明人陆扬扬张允武禹阔黄海敏孟海迪陈启亮张大双

(74)专利代理机构北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467

专利代理师王雪

(51)Int.CI.

GO1R31/28(2006.01)

GO1R19/00(2006.01)

(56)对比文件

CN108242886A,2018.07.03CN109951178A,2019.06.28审查员王倪颖

权利要求书3页说明书9页附图7页

(54)发明名称

高压驱动芯片的过流检测电路及过流检测

方法

(57)摘要

CN114994500B本申请公开了一种高压驱动芯片的过流检测电路及过流检测方法,属于集成电路技术领域。所述电路中,当下降边沿检测电路检测到高压区浮动地的下降沿,且低压输出端口的输出为高电平信号时,逻辑控制电路用于向高精度电压检测电路输出高电平信号;当低压输出端口的输出为低电平信号时,逻辑控制电路用于向高精度电压检测电路输出低电平信号;高精度电压检测电路用于在接收到高电平信号时开启过流检测,在接收到低电平信号时关闭过流检测;比较器用于根据检测电压和参考电压生成过流检测结果。本申请可以提高过流检测精度的同时,避免检测

CN114994500B

VS

VS或VB

下降边沿检测电路

VSENSE

VDr

比较多

逻辑控制电路

POR→

GND一

高精度电压检测电路

低压区栅驱动电路

VCC→

VCC

Vref

V?

CN114994500B权利要求书1/3页

2

1.一种高压驱动芯片的过流检测电路,其特征在于,所述过流检测电路包括:下降边沿检测电路、逻辑控制电路、高精度电压检测电路和比较器;

所述下降边沿检测电路中的第一输入端口与高压侧电源或者高压区浮动地相连,第二输入端口与低压电源相连,输出端口与所述逻辑控制电路的第一输入端口相连;

所述逻辑控制电路中的第二输入端口与低压区栅驱动电路的低压输出端口相连,第三输入端口与上电复位电路的输出端口相连,第四输入端口和电源端口分别与所述低压电源相连,接地端口与低压区地相连,输出端口与所述高精度电压检测电路的第一输入端口相

连;

所述高精度电压检测电路中的第二输入端口与所述高压区浮动地相连,电源端口与所述低压电源相连,接地端口与所述低压区地相连,输出端口与所述比较器的同相输入端口相连;

所述比较器中的反相输入端口与参考电压相连,输出端口与所述低压区栅驱动电路相

连;

当所述下降边沿检测电路检测到所述高压区浮动地的下降沿,且所述低压输出端口的输出为高电平信号时,所述逻辑控制电路用于向所述高精度电压检测电路输出高电平信号;当所述低压输出端口的输出为低电平信号时,所述逻辑控制电路用于向所述高精度电压检测电路输出低电平信号;

所述高精度电压检测电路用于在接收到高电平信号时开启过流检测,在接收到低电平信号时关闭过流检测;

所述比较器用于根据检测电压和所述参考电压生成过流检测结果。

2.根据权利要求1所述的高压驱动芯片的过流检测电路,其特征在于,所述下降边沿检测电路包括:容性器件、第一电流源和二极管;

所述容性器件的一个端口作为所述下降边沿检测电路的第一输入端口,另一个端口与所述第一电流源的流出端口以及所述二极管的阳极相连后作为所述下降边沿检测电路的输出端口,所述第一电流源的流入端口与所述二极管的阴极相连后作为所述下降边沿检测电路的第二输入端口。

3.根据权利要求2所述的高压驱动芯片的过流检测电路,其特征在于,所述容性器件是电容、栅源短接的NMOS管的源漏寄生电容、栅源短接的PMOS管的源漏寄生电容中的任意一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的高压驱动芯片的过流检测电路,其特征在于,所述逻辑控制电路包括

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