CN114122250B 一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法 （济南晶正电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114122250B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202111412421.1

(22)申请日2021.11.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114122250A

(43)申请公布日2022.03.01

(73)专利权人济南晶正电子科技有限公司

地址250100山东省济南市高新区港兴三

路北段1号济南药谷研发平台1号楼

B1806

(72)发明人郑姗姗李真宇刘亚明孔霞

(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363

专利代理师逯长明许伟群

(51)Int.CI.

H10N30/04(2023.01)

H10N30/072(2023.01)

H10N30/086(2023.01)

H10N30/853(2023.01)

(56)对比文件

CN111128699A,2020.05.08

CN106544735A,2017.03.29

审查员陈树华

权利要求书1页说明书14页附图1页

(54)发明名称

一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法

(57)摘要

CN114122250B本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括：通过离子注入法向第一晶圆注入离子，将第一晶圆与衬底基板键合，得到键合体；对键合体热处理，得到单晶压电复合薄膜；在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；将预制备体掩埋于黑化粉末中；在还原炉内，对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；去除第二晶圆或还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜，再进行黑化还原热处理，这样，可以保证最终制备

CN114122250B

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CN114122250B权利要求书1/1页

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1.一种黑化单晶压电复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

准备第一晶圆和衬底基板，其中，所述第一晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；

通过离子注入法向所述第一晶圆注入离子，将所述第一晶圆依次分为余质层、分离层和薄膜层；

将所述第一晶圆与所述衬底基板键合，得到键合体；

对所述键合体热处理，将所述余质层与所述薄膜层分离，得到单晶压电复合薄膜；

在所述单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；所述第二晶圆与所述第一晶圆的材料相同；

将所述预制备体掩埋于黑化粉末中，其中，所述黑化粉末包括还原性粉末与碳酸锂粉末；

在还原炉内，对掩埋于所述黑化粉末中的所述单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；

去除所述第二晶圆或所述还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜；

对所述黑化单晶压电复合薄膜中的薄膜层表面抛光。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按质量份数计，所述黑化粉末包括还原性粉末1-10份，碳酸锂粉末90-99份。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，按质量份数计，所述黑化粉末包括还原性粉末5-10份，碳酸锂粉末90-95份。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述还原性粉末包括铁粉、铝粉、锌粉、镁粉、硅粉、碳粉中的任一种或多种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述还原性粉末包括铁粉、铝粉、锌粉、镁粉、硅粉、碳粉中的任一种或多种与石墨烯的混合粉末。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在还原炉内，对掩埋于所述黑化粉末中的所述单晶压电复合薄膜黑化还原热处理的温度为300-600℃,保温时间为1-100小时。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过离子注入法向所述第一晶圆注入的离子为氦离子、氢离子、氮离子、氧离子或氩离子，注入剂量为2×101?ions/cm2-4×101?ions/cm2;注入能量为40-400keV。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在对所述黑化单晶压电复合薄膜中的薄膜层表面抛光后进行清洗处理。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底基板为单层衬底或复合衬

底。

10.一种黑化单晶压电复合薄膜，其特征在于，黑化单晶压电复合薄膜通过如权利要求1-9任一所述的黑化单晶压电复合薄膜的制备方法制备得到。

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