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分子束外延：高质量窄禁带半导体纳米线及异质结构的生长与表征
一、引言
1.1研究背景与意义
在半导体领域的持续发展进程中，窄禁带半导体纳米线及其异质结构凭借其独特且优异的物理性质，成为了备受瞩目的研究焦点，在众多关键领域展现出了不可替代的重要性与广阔的应用前景。
从电子学领域来看，随着摩尔定律逐渐逼近其物理极限，传统的半导体器件在尺寸进一步缩小的过程中面临着诸多严峻挑战，如量子隧穿效应导致的漏电增加、功耗上升以及器件性能的不稳定等问题日益凸显。而窄禁带半导体纳米线，由于其具有高载流子迁移率和独特的量子限制效应，能够在保持器件高性能的同时，实现更小的尺寸，为突破摩尔定律的限制提供了新的可能。例
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