碳化硅表面氧化调控对铝基复合材料可控制备及性能优化的深度解析.docx

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2026-01-20 发布于上海
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碳化硅表面氧化调控对铝基复合材料可控制备及性能优化的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业的迅猛发展进程中，材料科学作为关键支撑领域，持续推动着各行业的技术革新与进步。碳化硅（SiC）和铝基复合材料凭借其独特的性能优势，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为材料研究领域的焦点。

碳化硅，作为一种宽带隙半导体材料，拥有卓越的物理和化学性能。其具备高硬度、高熔点、高热导率以及出色的化学稳定性等特性，在高温、高压、高频以及强辐射等极端环境下，依然能够保持良好的性能表现。这些优异特性使得碳化硅在半导体器件、航空航天、汽车制造、能源电力等领域得到了广泛应用。在半导体器件领域，碳化硅基功