CN114783993B 合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片 （东科半导体(安徽)股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114783993B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202210543201.0

(22)申请日2022.05.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114783993A

(43)申请公布日2022.07.22

(73)专利权人东科半导体(安徽)股份有限公司地址243000安徽省马鞍山市马鞍山经济

技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401

(72)发明人赵少峰程兆辉孙经纬

(74)专利代理机构北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

11539

(51)Int.CI.

H10D80/30(2025.01)

H10D80/20(2025.01)

H01L23/495(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

H01L21/50(2006.01)

HO2M1/088(2006.01)

(56)对比文件

CN109951183A,2019.06.28CN107658283A.2018.02.02CN101834176A,2010.09.15CN102684457A,2012.09.19

审查员齐梦宇

专利代理师白洁

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法

和芯片

(57)摘要

CN114783993B本发明实施例涉及一种合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片，包括：驱动控制模块、第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管；所述驱动控制模块包括；逻辑控制电路和半桥驱动电路；所述半桥驱动电路包括：高压启动电路、高端驱动器和低端驱动器；所述逻辑控制电路连接所述半桥驱动电路，所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管串联连接，所述半桥驱动电路的驱动输出分别接第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管的驱动端，所述半桥驱动电路根据逻辑控制电路输出的控制信号驱动所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管交替开通和关断；所述逻辑控制电路、半桥驱动电路、第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管封装在一颗芯片中，

CN114783993B

VCCHV

VCCHVVCCHV+

高压启动

电路12

K1

PWMH

逻辑控制电路

K2D

PWML

动器14

高端驱动器13

低端驱

I/O_1I/O_2

GTL

GTH

11

CN114783993B权利要求书1/2页

2

1.一种合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法，其特征在于，所述方法包括：

将驱动控制模块、第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管封装在一颗芯片中，形成所述合封氮化镓半桥拓扑集成芯片；其中，所述驱动控制模块包括；逻辑控制电路和半桥驱动电路；所述半桥驱动电路包括：高压启动电路、高端驱动器和低端驱动器；

在所述芯片内用绝缘层隔离出第一基岛区域和第二基岛区域；将所述驱动控制模块和第二氮化镓功率管设置在第一基岛区域中，将所述第一氮化镓功率管设置在第二基岛区域中，用以高压信号和低压信号的物理空间隔离；

将所述逻辑控制电路与所述半桥驱动电路相连接，其中，所述逻辑控制电路的第一控制信号输出端接高端驱动器的驱动信号输入端，所述逻辑控制电路的第二控制信号输出端接低端驱动器的驱动信号输入端；将所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管串联连接；将所述半桥驱动电路的驱动输出分别接第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管的驱动端，其中，所述高端驱动器的信号输出端接所述第一氮化镓功率管的栅极，所述低端驱动器的信号输出端接所述第二氮化镓功率管的栅极；使得所述半桥驱动电路根据逻辑控制电路输出的控制信号驱动所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管交替开通和关断；

所述封装具体采用方形双边扁平无引脚PDNF封装结构，所述方法还包括：将所述芯片中连接高压信号的管脚设置在PDNF封装的一侧，将连接低压信号的管脚设置在PDNF封装的另一侧；所述芯片的管脚还包括：高压输入负端V-;将所述高压输入负端V-设置在PDNF封装的另一侧或者第三侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，