CuHg2Ti型Ti2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究.PDFVIP

物理学报ActaPhys.Sin.Vol.63,No.10(2014)107103

CuHgTi型TiCr基合金的电子结构、

能隙起源和磁性研究

贾红英代学芳王立英刘然王啸天李朋朋

崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋

1)(河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130)

2)(重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆400044)

3)(中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京100190)

(2013年12月10日收到;2014年2月20日收到修改稿)

利用第一性原理计算方法,研究了CuHgTi结构下TiCr(Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子

结构、能隙起源和磁性.研究发现:TiCr(Si,Ge)合金是普通半导体材料;TiCr(Si,Bi)合

金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;TiCrSn合金是完全补偿的

亚铁磁性半导体.基于TiCrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调

制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系

列半金属材料.TiCrFeSn和TiCrMnSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分

子磁矩total与总的价电子数t服从totalt规则.

关键词:Heusler合金,半金属材料,自旋无能隙材料

PACS:71.20.–b,71.20.Lp,75.50.CcDOI:10.7498/aps.63.107103

入等领域中具有巨大的应用潜能26.自旋无能隙

1引言材料的主要特点是在一个自旋方向上的亚能带中,

费米面处存在一定宽度的能隙,而另一个自旋方

半金属、自旋无能隙半导体和磁性半导体在自

向上的亚能带中,费米面处存在一个0eV的能隙.

旋电子学器件中具有很大的应用价值,因此一直受

自旋无能隙特性最早在稀磁半导体的研究中被报

到人们的广泛关注.由于这三类材料具有相似的

道710,近几年其在几种Heusler合金中也被发现

电子能带结构,因此它们可能会同时存在于成分和

和证明1117.这类材料在电阻、磁电阻、霍尔电

结构相近的材料体系之中.这三类材料电子结构