碳热还原法：透明导电半导体纳米线（带）制备、结构与性能的深度探究.docxVIP

碳热还原法：透明导电半导体纳米线（带）制备、结构与性能的深度探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子器件不断朝着小型化、高性能化、多功能化以及柔性化的方向迈进。在这一进程中，透明导电材料作为关键基础材料，在众多领域如平板显示、太阳能电池、触摸屏技术以及光电器件等发挥着举足轻重的作用。透明导电材料不仅需要具备高的电导率，以满足电子传输的需求，还需拥有良好的光学透明性，确保光线能够顺利通过，从而实现器件的高效工作。传统的透明导电材料如氧化铟锡（ITO），因其优异的综合性能，在过去的几十年中被广泛应用。然而，铟元素的储量稀少、价格高昂以及ITO材料的脆性等缺点，限制了其