深度解析(2026)《GBT 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》.pptxVIP

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目录

一、立足基石与预见未来：从标准溯源洞见低位错锗单晶在第三代半导体与红外光电融合中的关键角色与发展趋势

二、解构核心定义与测量哲学：深入剖析“低位错密度”与“腐蚀坑密度(EPD)”的本质及其在质量控制中的决定性意义

三、实验场域的精密构筑：专家视角全方位解读样品制备、腐蚀剂选择及环境控制对测量结果准确性的深度影响

四、显微术下的真实显影：深度剖析金相显微镜观测技术中关于腐蚀坑识别、计数与边界判定的核心准则与常见疑点

五、从数据到报告的严谨之旅：系统解析EPD计算、统计误差分析与测量报告编制的标准化流程及数据解读陷阱

六、不确定度评估的度量衡艺术：深入探讨测量过程中各变量引入的不