MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法》标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardforMeasurementMethodsofElectromechanicalConversionCharacteristicsofMEMSPiezoelectricThinFilms

摘要

微机电系统（MEMS）技术作为融合微电子与精密机械的前沿交叉领域，正深刻改变着传感器、执行器、射频器件等产业的发展格局。其中，压电薄膜因其优异的力-电耦合特性，成为实现高性能MEMS传感与驱动的核心功能材料。然而，MEMS压电薄膜通常以亚微米至数微米的厚度生长于特定基底之上，其压电性能强烈依赖于制备工艺，导致其关键参数——压电常数（尤其是横向压电系数）与传统块体材料存在显著差异。传统测量方法已无法满足薄膜材料高精度、高一致性的表征需求，这一技术瓶颈严重制约了压电MEMS器件的设计优化、性能评估与产业化进程。

本报告围绕《MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法》国家标准的制定工作，系统阐述了该标准立项的背景、目的与重要意义。报告详细分析了标准规定的适用范围、核心测量原理——基于正/逆压电效应的悬臂梁法，及其具体技术内容。该方法通过将待测压电薄膜与上下电极集成于硅基悬臂梁，构建标准化测试结构，实现了对薄膜横向压电系数的准确、可重复测量。本标准的建立，首次为国内MEMS压电薄膜的关键性能评价提供了统一、权威的测试依据，填补了该领域测量方法标准的空白。它不仅将有力推动上游材料工艺的优化与比对，更将加速下游MEMS传感器（如加速度计、陀螺仪）、执行器（如微镜、喷墨头）及能量收集器等器件的研发创新与质量提升，对我国MEMS产业生态的健全与技术进步具有里程碑式的意义。

关键词：

微机电系统（MEMS）；压电薄膜；机电转换特性；测量方法；横向压电系数；悬臂梁法；标准化

Keywords:Micro-Electro-MechanicalSystems(MEMS);PiezoelectricThinFilm;ElectromechanicalConversionCharacteristics;MeasurementMethod;TransversePiezoelectricCoefficient;CantileverBeamMethod;Standardization

正文

一、标准制定的目的与意义

微机电系统（MEMS）压电薄膜是一种以氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）、锆钛酸铅（PZT）等金属氧化物、氮化物或化合物为原料，通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）或溶胶-凝胶法等特殊工艺，在硅、玻璃等衬底材料上制备的、厚度通常在0.01微米至数微米范围内的功能薄膜材料。这种薄膜结构使其能够与标准的半导体工艺兼容，通过微加工技术（如光刻、刻蚀）便捷地集成到MEMS器件中，构成微传感器或微执行器的核心换能单元。

压电性能是此类薄膜的灵魂所在，它描述了材料在机械应力作用下产生电荷（正压电效应），或在电场作用下产生形变（逆压电效应）的能力。其中，压电常数是量化这一性能的核心电学参数，直接决定了器件的灵敏度、输出功率、驱动效率等关键指标。对于多数薄膜器件结构（如悬臂梁、薄膜体声波谐振器FBAR），横向压电系数（d31或e31）往往比纵向系数更为重要。

然而，MEMS压电薄膜的性能表征面临独特挑战：其一，薄膜必须生长在基底上，其结晶质量、内应力、界面状态深受沉积温度、气压、功率等工艺参数影响，性能离散性大；其二，薄膜的尺寸效应显著，其压电响应与块体材料理论值存在较大偏差；其三，传统适用于毫米级厚度块体材料的动态谐振法、静态法等，在测量微米级薄膜时，会因基底效应、夹具引入误差、信号微弱等问题而失效，测量结果可信度低。

因此，开展针对MEMS压电薄膜材料的、专属的机电转换特性测量方法研究，并形成统一的国家标准，已成为行业发展的迫切需求。本标准的制定，旨在规定一套科学、准确、可操作的测量方法，特别是为横向压电系数的测试提供标准化方案。这将为材料供应商、MEMS设计公司、制造厂商及检测机构建立一个共同的技术语言和性能评判基准，从根本上解决因测量方法不统一导致的数据不可比、产品性能评价混乱的问题，为压电MEMS器件的正向设计、工艺迭代、可靠性评估及最终的产品质量保证提供坚实的技术支撑。

二、标准的范围与主要技术内容

1.范围

本标准明确规定了适用于微传感器和微执行器的压电薄膜其机电转换特性的测量方法。同时，标准对测试结果的报告模式进行了规范，要求无论压电器件最终应用于消费电子、工业控制、汽车电子还是其他领域，其核心薄膜材料的特征参数报告均需遵循统一的