CN119300552A 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 （晶科能源(上饶)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119300552A

(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411708348.6

(22)申请日2024.11.26

(71)申请人晶科能源（上饶）有限公司

地址334100江西省上饶市经济技术开发

区迎宾大道3号

申请人浙江晶科能源有限公司

(72)发明人端伟元李文琪杨洁张昕宇

(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务

所(普通合伙)31260

专利代理师支珊

(51)Int.Cl.

H10F77/30(2025.01)

H10F19/00(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书2页说明书12页附图13页

(54)发明名称

太阳能电池及其制备方法、光伏组件

(57)摘要

本公开实施例涉及光伏技术领域，提供一种

太阳能电池及其制备方法、光伏组件，以避免掺

杂类型不同的掺杂区出现漏电情况，从而提升光

电转换效率。太阳能电池包括基底，基底包括相

对设置的正面和背面；基底的背面包括依次间隔

设置的第一掺杂区和第二掺杂区、以及设置在第

一掺杂区和第二掺杂区之间的绝缘区；设置在第

一掺杂区的掺杂多晶硅钝化接触结构、设置在第

二掺杂区的掺杂非晶硅结构、设置在绝缘区的钝

化层；掺杂多晶硅钝化接触结构包括：依次叠层

设置在基底的背面上的隧穿氧化层和掺杂多晶

硅层；掺杂非晶硅结构包括掺杂非晶硅层，掺杂

A多晶硅层和掺杂非晶硅层的掺杂类型不同；其

2中，钝化层分别与掺杂多晶硅钝化接触结构和掺

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5

0杂非晶硅结构，沿基底的厚度方向不交叠。

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C

CN119300552A权利要求书1/2页

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括基底，所述基底包括相对设置的正面和背面；

所述基底的背面包括依次间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区、以及设置在所述第一

掺杂区和所述第二掺杂区之间的绝缘区；

所述太阳能电池还包括：设置在所述第一掺杂区的掺杂多晶硅钝化接触结构、设置在

所述第二掺杂区的掺杂非晶硅结构、设置在所述绝缘区的钝化层；所述掺杂多晶硅钝化接

触结构包括：依次叠层设置在所述基底的背面上的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；所述掺杂

非晶硅结构包括掺杂非晶硅层，所述掺杂多晶硅层和所述掺杂非晶硅层的掺杂类型不同；

其中，所述钝化层分别与所述掺杂多晶硅钝化接触结构和所述掺杂非晶硅掺杂非晶硅

结构结构，沿所述基底的厚度方向不交叠。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层靠近所述基底的表

面，沿预设方向分别低于所述掺杂非晶硅结构靠近所述基底的表面和所述钝化层靠近所述

基底的表面，所述预设方向为从所述基底的正面到所述基底的背面的方向。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂非晶硅层靠近所述基底的

表面和所述钝化层靠近所述基底的表面齐平设置。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层靠近所述基底的表面沿

所述预设方向高于所述掺杂非晶硅结构靠近所述基底的表面；

或者，所述钝化层靠近所述基底的表面沿所述预设方向低于所述掺杂非晶硅结构靠近

所述基底的表面。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层靠近所述基底的表

面、所述掺杂非晶硅结构靠近所述基底的表面、以及所述钝化层靠近所述基底的表面三者

齐平设置。

6.根据权利要求1‑5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底中，与所述隧穿

氧化层接触的基底的表面、与所述掺杂非晶硅结