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- 2026-01-25 发布于山东
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4.1.1BJT的結構簡介
BJT的類型:
•按頻率分:高頻管、低頻管;
•按功率分:小、中、大功率管;
•按半導體材料分:矽、鍺管;
•按結構分:NPN和PNP管;
4.1.1BJT的結構簡介
(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管
4.1.1BJT的結構簡介
半導體三極管的結
構示意圖如圖所示。
它有兩種類型:NPN型
和PNP型。
(a)NPN型管結構示意圖
(b)PNP型管結構示意圖
(c)NPN管的電路符號
(d)PNP管的電路符號
4.1.1BJT的結構簡介
積體電路中典型NPN型BJT的截面圖
結構特點:
•發射區的摻雜濃度最高;
•集電區摻雜濃度低於發射區,且面積大;
•基區很薄,一般在幾個微米至幾十個微米,且
摻雜濃度最低。
4.1.2放大狀態下BJT的工作原理
三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下,通過載
流子傳輸體現出來的。
由於三極管內有兩種載流子(自
外部條件:發射結正偏由電子和空穴)參與導電,故稱為雙
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