2026校招：中芯国际真题及答案.docVIP

2026校招：中芯国际真题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体制造中光刻工艺主要作用是（）

A.去除杂质B.图形转移C.增加导电性D.提高硬度

2.以下哪种气体常用于刻蚀工艺（）

A.氧气B.氮气C.氯气D.氢气

3.MOSFET是指（）

A.金属-氧化物-半导体场效应晶体管

B.双极结型晶体管

C.绝缘栅双极型晶体管

D.可控硅

4.集成电路制造中常用的硅片尺寸是（）

A.4英寸B.6英寸C.8英寸D.12英寸

5.光刻胶的主要成分不包括（）

A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.酸

6.化学机械抛光（CMP）主要用于（）

A.表面平整化B.刻蚀C.镀膜D.掺杂

7.半导体产业中，哪一代际的制成工艺能实现更小尺寸的晶体管（）

A.28nmB.14nmC.7nmD.5nm

8.以下哪个是封装测试的作用（）

A.提高芯片性能B.保护芯片、实现电气连接

C.降低功耗D.增加芯片容量

9.下列哪种是常见的半导体材料（）

A.铜B.硅C.铝D.铁

10.离子注入的目的是（）

A.改变材料颜色B.改变材料导电性

C.提高材料强度D.减小材料厚度

答案：1.B2.C3.A4.D5.D6.A7.D8.B9.B10.B

多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体制造业中常见的薄膜沉积方法有（）

A.物理气相沉积（PVD）B.化学气相沉积（CVD）

C.电镀D.喷雾热解

2.光刻技术涉及的主要设备有（）

A.光刻机B.显影机

C.刻蚀机D.清洗机

3.以下属于半导体封装形式的有（）

A.QFNB.BGA

C.LGAD.SOP

4.集成电路设计流程包括（）

A.规格制定B.逻辑设计

C.物理设计D.验证测试

5.半导体芯片测试包括（）

A.晶圆测试B.成品测试

C.环境测试D.老化测试

6.影响光刻分辨率的因素有（）

A.光源波长B.数值孔径

C.光刻胶特性D.曝光剂量

7.化学机械抛光（CMP）过程中需要用到（）

A.抛光垫B.抛光液

C.压力装置D.加热装置

8.制造半导体器件时常用的掺杂元素有（）

A.硼B.磷

C.砷D.碳

9.半导体洁净室的等级划分通常参考（）

A.颗粒大小B.颗粒数量

C.温度D.湿度

10.以下关于半导体产业发展趋势的说法正确的有（）

A.制程工艺不断微缩B.3D封装技术发展

C.智能化应用增加D.功耗要求降低

答案：1.ABC2.AB3.ABCD4.ABCD5.AB6.ABCD7.ABC8.ABC9.AB10.ABCD

判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料都是绝缘体。（）

2.光刻工艺中曝光时光刻胶被照射后溶解性会改变。（）

3.刻蚀工艺只能采用湿法刻蚀。（）

4.封装的主要目的就是保护芯片外观。（）

5.集成电路设计中逻辑设计完成后才进行规格制定。（）

6.离子注入是一种精确的掺杂方法。（）

7.化学机械抛光会使硅片表面变得粗糙。（）

8.半导体洁净室等级数值越小说明洁净程度越高。（）

9.光刻技术中光源波长越短分辨率越高。（）

10.半导体制造过程可以在普通环境下进行。（）

答案：1.×2.√3.×4.×5.×6.√7.×8.√9.√10.×

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的主要步骤。

答：主要步骤为涂胶，在硅片表面涂光刻胶；曝光，用光刻机使光刻胶受光照；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶；坚膜，增强光刻胶与硅片附着力。

2.说明化学机械抛光（CMP）的原理。

答：CMP利用化学腐蚀和机械研磨共同作用。抛光液的化学物质与硅片表面反应，软化表面层，抛光垫的机械摩擦去除反应产物，实现表面平整化。

3.简述半导体封装的作用。

答：封装能保护芯片不受物理和化学损害；实现芯片与外界电气连接，传递信号；为芯片提供散热途径，保证芯片在合适温度工作。

4.列举集成电路设计的主要阶段。

答：包括规格制定，明确芯片功能和性能要求；逻辑设计，进行功能模块