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单晶硅表面氧化处理的电学性能多维评价与影响机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技发展的进程中，单晶硅凭借其卓越的物理和化学性质，成为半导体及光伏领域的核心基础材料，对推动相关产业的发展发挥着不可替代的关键作用。在半导体领域，单晶硅是制造集成电路、晶体管等关键器件的基石。随着信息技术的飞速发展，对芯片的性能、集成度和运算速度提出了越来越高的要求，而单晶硅材料的质量和性能直接决定了芯片的性能优劣。从早期的小规模集成电路到如今的超大规模集成电路，单晶硅的纯度、晶体完整性以及表面质量等指标不断提升，为芯片技术的持续进步提供了坚实支撑。例如，在先进的5纳米及以下制程工艺中，对单晶硅的