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ZnO薄膜：生长机制、性能调控与多元应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，ZnO薄膜作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，凭借其一系列优异特性，占据着举足轻重的地位，成为材料科学与光电子学领域的研究焦点之一。

ZnO薄膜具有独特的物理性质。它拥有约3.37eV的直接带隙宽度，在室温下展现出较大的激子束缚能，数值高达60meV。这一特性使得ZnO薄膜在室温条件下即可实现紫外光的受激发射，为紫外光电器件的发展开辟了广阔前景。在光电子领域，其应用价值不可估量。例如，基于ZnO薄膜制备的发光二极管（LED），能够实现从蓝光到紫外光的