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基于SOI衬底的ONO结构：制造工艺与性能特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电子信息技术的迅猛发展，电子器件正朝着高性能、高可靠性和小型化的方向不断迈进。在这一进程中，衬底材料和器件结构的选择与优化至关重要，它们直接决定了电子器件的性能、功耗以及集成度等关键指标。

SOI（Silicon-On-Insulator）衬底，即绝缘衬底上硅，其结构是在顶层硅与底部衬底之间引入一层埋层氧化物。与传统体硅衬底相比，SOI衬底展现出诸多显著优势。在寄生电容方面，SOI电路中结与衬底的寄生电容是隐埋的绝缘体电容，其介电常数仅为Si的1/3，且随着器件尺寸缩小，寄生电容不会增加