微电子电路中电流源与电流镜设计及优化.pptxVIP

北京理工大学

微电子电路基础

5电流源和电流镜

5.1基本电流镜

基本电流镜

电流源的设计是基于对基准电流的“复制”

两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传输相同的电流（忽略沟道长度调制效应）

基本电流镜

5.1基本电流镜

按比例复制电流（忽略沟道长度调制效应）

得到

该电路可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响；Iout与IREF的比值由器件尺寸的比率决定。

共源共栅电流镜

沟道长度调制效应使得电流镜像产生极大误差

5.1基本电流镜

因此

为了抑制沟道长度调制的影响，可以采用共源共栅电流源。共源共栅结构可以使底部晶体管免受VP变化的影响。

5.1基本电流镜

确定共源共栅电流源的偏置电压Vb，采用共源共栅电流镜结构。

目标是确保VY=VX。选择

(W/L)3/(W/L)0=(W/L)2/(W/L)1,

则VGS0=VGS3,VX=VY。

共源共栅电流镜

共源共栅电流镜消耗了电压余度

忽略衬偏效应且假设所有晶体管都是相同的，则P点所允许的最小电压值等于

5.1基本电流镜

共源共栅电流镜

5.1基本电流镜

低电压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜

共源共栅输入输出短接结构，为使M1和M2处于饱和区，Vb应满足：

得到：

Vb有解

5.1基本电流镜

低电压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜

所有晶体管均处于饱和区，选择合适的器件尺寸，使VGS2=VGS4，若选择

M3~M4消耗的电压余度最小(M3与M4过驱动电压之和)。且可以精确复制IREF。

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