微电子电路中电流镜设计及其优化方法研究.pdfVIP

微电子电路基础

北京理工大学

5电流源和电流镜

基本电流镜

电流源的设计是基于对基准电流的“复制”

两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传输相同的

电流（忽略沟道长度调制效应）

基本电流镜

按比例复制电流（忽略沟道长度调制效应）

得到

该电路可以精确地复制电流而不受工艺和温度的

影响；Iout与IREF的比值由器件尺寸的比率决定。

共源共栅电流镜

沟道长度调制效应使得电流镜像产生极大误差

因此

共源共栅电流镜

为了抑制沟道长度调制的影响，可以采用共源共栅电流源。共源共栅结构

可以使底部晶体管免受V变化的影响。

P

确定共源共栅电流源的偏置电压

V，采用共源共栅电流镜结构。

b

目标是确保V=V。选择

YX

(W/L)/(W/L)=(W/L)/(W/L),

3021

则V=V,V=V。

GS0GS3XY

共源共栅电流镜

共源共栅电流镜消耗了电压余度

忽略衬偏效应且假设所有晶体管都是相同的，则P点所允许的

最小电压值等于

低电压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜

共源共栅输入输出短接结构，为使M和M处于饱和区，V应满足：

12b

得到：

V有解

b

低电压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜

所有晶体管均处于饱和区，选择合适的器件尺寸，使VGS2=VGS4，

若选择

M~M消耗的电压余度最小(M与M过驱动电压之和)。且可以

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精确复制IREF。

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