40V N-通道PowerTrench MOSFET产品规格与应用.pdfVIP

2009年7月

FDS8449_F085



40VN‑通道PowerTrenchMOSFET

概述特性

这些N‑通道MOSFET采用FairchildSemiconductor的

•7.6A，40VRDS(导通)=29m@VGS=10

先进PowerTrench工艺制造，该工艺特别优化以最小化

VRDS(导通)=36m@VGS=4.5V

导通电阻，同时保持卓越的开关性能

性能。•在广泛使用的表面贴装封装中具有高功率处理能力

应用

•符合RoHS

•逆变器

•符合AECQ101

•电源

D54

D

D

63

D

72

SO-8G

S81

S

引脚1S

o

绝对最大额定值T=25C，除非另有说明

A

符号参数单位

VDSS漏源电压40V

VGSS栅源电压20V

ID漏电流–连续(注释1a)7.6A

–脉冲50

PD单个操作的功率耗散(注释1a)2.5W

(注释1b)1

JSTG

T，T工作和