功率半导体器件原理及设计课件 ch6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）25.pptx

;2;3;4;5;按功能来分;7;①.耐压结构为NPT型。

当UCE0时,J2结反偏，承受正向阻断电压；当UCE0时,J1结反偏,由于透明集电极很薄，也只能承受很小的反向电压。正、反向阻断能力不对称。

②.为了提高阻断电压，耗尽层WD??Wn-?,导致UCEsat?；

③.采用透明集电极,不需要控制少子寿命，开关速度快。;9;10;11;;;14;;16;一、工作原理;;19;;21;22;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33;34;35;36;37;PT(PunchThrough);39;;41;关断期间普通集电区与透明集电区