功率半导体器件Ch9集成门极换流晶闸管(IntegratedGateCommutatedThyristor,IGCT)电子工程系2025·春
2简介集成门极换流晶闸管(IntegratedGateCommutatedThyristor简称IGCT)IGCT是在GTO结构的基础上,增加透明阳极、场阻止层和逆导技术形成GCT,并将门极驱动电路与GCT通过印刷电路板集成在一起,称为IGCT(组件)。1996年由瑞士ABB公司的半导体AG首先提出HD-TGTO;1997年正式命名为IGCT;1998年IGCT研究和发展到达顶峰;随后日本、德国、美国、韩国、中国也开
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