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2026年电子工程师职称考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.在CMOS反相器静态功耗分析中，若电源电压VDD=1.2V，静态电流IDQ=3nA，则单个门电路的静态功耗约为

A.0.36pW??B.3.6pW??C.36pW??D.360pW

答案：B

解析：P=IDQ·VDD=3nA×1.2V=3.6pW。

2.某8位SARADC采用1.8V基准，若其DNL最大值为0.8LSB，INL最大值为1.2LSB，则其有效分辨率位数（ENOB）约为

A.6.7??B.7.2??C.7.5??D.7.9

答案：B

解析：ENOB≈N–log2(1+INL/2^N)=8–log2(1+1.2/256)≈7.2。

3.在PCB设计中，若微带线特性阻抗Z0=50Ω，介质相对介电常数εr=4.2，线宽w=0.3mm，则其近似厚度t为

A.17μm??B.35μm??C.70μm??D.140μm

答案：B

解析：使用IPC-2141公式反推，t≈35μm时Z0≈50Ω。

4.某Buck转换器输入12V，输出1.2V/10A，开关频率f=500kHz，若目标电流纹波ΔIL=20%·Io，则所需电感量约为

A.0.22μH??B.0.47μH??C.1.0μH??D.2.2μH

答案：C

解析：ΔIL=0.2×10=2A，L=(VIN–VOUT)·D/(ΔIL·f)=10.8×0.1/(2×5×10^5)=1.0μH。

5.在VerilogHDL中，下列代码综合后最可能生成哪种电路

reg[7:0]q;always@(posedgeclk)q=q+1;

A.8位加法器??B.8位计数器??C.8位移位寄存器??D.8位锁存器

答案：B

解析：同步时钟下q自增，典型二进制计数器结构。

6.某运算放大器增益带宽积GBW=10MHz，若闭环增益Av=+20dB，则其–3dB带宽约为

A.100kHz??B.500kHz??C.1MHz??D.2MHz

答案：C

解析：20dB→10倍，f–3dB=GBW/Av=10MHz/10=1MHz。

7.在EMC测试中，若某产品辐射发射在230MHz处超出ClassB限值6dB，以下整改措施最有效的是

A.在电源入口串联100Ω电阻??B.在时钟线加33Ω串联阻尼电阻??C.在机壳接缝处加导电泡棉??D.将PCB层数由4层减为2层

答案：C

解析：230MHz属共模辐射，缝隙天线效应显著，导电泡棉降低接缝阻抗。

8.某ARMCortex-M33内核在TrustZone状态下，若SAU配置Non-secureCallable=1，则下列访问会触发SecureFault的是

A.Non-secure代码调用SG指令??B.Secure代码读取NSFlash??C.Non-secureDMA写SecureRAM??D.Secure代码执行BXNS

答案：C

解析：NSDMA无法写SecureRAM，违反隔离策略。

9.在I2C总线中，若主机发送起始条件后从机拉低SDA超过25ms，则主机应

A.继续发送时钟??B.发送停止条件并复位接口??C.切换为高速模式??D.拉高SDA等待

答案：B

解析：超时判定总线挂死，需复位。

10.某FPGA采用6-inputLUT，若实现一个8位奇偶校验逻辑，则最少需占用LUT数量为

A.1??B.2??C.3??D.4

答案：B

解析：6-inputLUT可处理5变量+1级联，8位需两级，共2个LUT。

11.在量子霍尔效应中，二维电子气的填充因子ν=5/2，对应的霍尔电阻平台值为

A.h/10e2??B.h/5e2??C.2h/5e2??D.5h/2e2

答案：C

解析：RH=h/νe2=2h/5e2。

12.某GaNHEMT器件栅长0.25μm，最大漏电流IDmax=1A/mm，若热阻Rth=15°C/W，则直流功耗1W时的沟道温升约为

A.10°C??B.15°C??C.25°C??D.35°C

答案：B

解析：ΔT=P·Rth=1W×15°C/W=15°C。

13.在毫米波频段，若采用RogersRO4835基板（εr=3.66，tanδ=0.0037）制作77GHz微带天线，则每厘米插入损耗约为

A.0.15dB??B.0.35