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- 2026-01-28 发布于北京
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FDP2710
N沟道PowerTrench®MOSFET250V，50
A，42.5m
特性概述
=36=10=25
•导通电阻.3m（典型值）@VGSV，IDA®
此N沟道MOSFET采用Fairc
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