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氧化锌微纳结构的生长调控与压电器件性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为电子信息产业的基石，始终处于科研领域的核心位置。氧化锌（ZnO）作为一种具有独特物理性质的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度达到3.37eV，激子束缚能高达60meV，在光电子、传感器、压电器件等众多领域展现出了巨大的应用潜力，吸引了全球科研人员的广泛关注与深入研究。

在光电子领域，氧化锌凭借其宽禁带特性，在紫外光电器件方面表现卓越。例如，基于氧化锌的紫外发光二极管（UV-LED）能够高效地发出紫外光，在生物医学检测、水净化、紫外线固化等方面有着重要应用。