CN120010055A 偏振旋转器及其制作方法 (中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所).docxVIP

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  • 2026-01-29 发布于重庆
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CN120010055A 偏振旋转器及其制作方法 (中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120010055A(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510448223.2

(22)申请日2025.04.10

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅

湖高教区若水路398号

(72)发明人钟政杨文献陆书龙朱建军

(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412

专利代理师陆颖

(51)Int.CI.

GO2BGO2B

6/122(2006.01)

5/30(2006.01)

GO2B6/12(2006.01)

GO2B6/126(2006.01)

GO2B6/14(2006.01)

GO2B6/136(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

偏振旋转器及其制作方法

(57)摘要

CN120010055A本发明公开了一种偏振旋转器及其制作方法,偏振旋转器包括在第一方向上依次相连的第一波导、第一耦合波导、模式转换波导、第二耦合波导以及第二波导;第一波导用于导入外部的第一模式偏振光;第一耦合波导用于耦合第一波导和模式转换波导;模式转换波导用于将由第一波导导入的第一模式偏振光转换为第二模式偏振光,模式转换波导在第一方向上具有几何不对称性;第二耦合波导用于耦合模式转换波导和第二波导;第二波导用于导出经模式转换波导转换的第二模式偏振光;其中,第一方向为光传播方向。

CN120010055A

B-B

SI

SI

S11S12S13S14_

300C

400C

200C100C

CN120010055A权利要求书1/2页

2

1.一种偏振旋转器,其特征在于,包括在第一方向上依次相连的第一波导、第一耦合波导、模式转换波导、第二耦合波导以及第二波导;

所述第一波导用于导入外部的第一模式偏振光;

所述第一耦合波导用于耦合所述第一波导和所述模式转换波导;

所述模式转换波导用于将由所述第一波导导入的第一模式偏振光转换为第二模式偏振光,所述模式转换波导在第一方向上具有几何不对称性;

所述第二耦合波导用于耦合所述模式转换波导和所述第二波导;

所述第二波导用于导出经所述模式转换波导转换的第二模式偏振光;

其中,所述第一方向为光传播方向。

2.根据权利要求1所述的偏振旋转器,其特征在于,所述第一波导、第一耦合波导、模式转换波导、第二耦合波导和第二波导各自包括沿第一方向一体设置的衬底、芯层和包层。

3.根据权利要求2所述的偏振旋转器,其特征在于,所述模式转换波导的芯层的横截面呈直角梯形状,其中,所述呈直角梯形状通过在模式转换波导的芯层两侧分别进行干法刻蚀和湿法刻蚀形成。

4.根据权利要求2所述的偏振旋转器,其特征在于,所述模式转换波导的衬底具有第一表面,所述第一表面具有在第二方向上依次分布的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域;

所述模式转换波导的衬底的第一表面在第一区域相对所述第二区域、第三区域和第四区域凹陷设置;

所述模式转换波导的芯层设置于所述第二区域和第三区域,所述模式转换波导的芯层靠近所述第四区域一侧的侧表面相对所述第一表面倾斜设置;

所述模式转换波导的包层设置于所述模式转换波导的芯层背离所述衬底的一侧,所述模式转换波导的包层的正投影位于所述第二区域内;

其中,所述第二方向为垂直于光传播方向。

5.根据权利要求4所述的偏振旋转器,其特征在于,所述模式转换波导的芯层靠近所述

第一区域一侧的侧表面相对所述第一表面垂直设置;和/或,

所述模式转换波导的芯层宽度自远离所述衬底方向减小。

6.根据权利要求4所述的偏振旋转器,其特征在于,所述第一区域宽度等于所述第三区域和第四区域宽度之和。

7.根据权利要求4所述的偏振旋转器,其特征在于,所述模式转换波导的衬底的第一表面在第一区域相对所述第二区域、第三区域和第四区域的凹陷深度为0.5μm-1μm。

8.根据权利要求2所述的偏振旋转器,其特征在于,所述第一波导的包层宽度大于所述模式转换波导的包层宽度;和/或,

所述第二波导的包层宽度大于所述模式转换波导的包层宽度;

所述第一耦合波导的包层宽度自所述第一波导向所述模式转换波导方向减小

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