CN118235200A 包括带有扩散屏障的近场换能器的热辅助磁记录(hamr)写入头及其制作方法 (西部数据技术公司).pdfVIP

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  • 2026-01-29 发布于重庆
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CN118235200A 包括带有扩散屏障的近场换能器的热辅助磁记录(hamr)写入头及其制作方法 (西部数据技术公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118235200A

(43)申请公布日2024.06.21

(21)申请号202280075436.X(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限

公司11245

(22)申请日2022.05.21

专利代理师徐东升

(30)优先权数据

(51)Int.Cl.

17/588,7582022.01.31US

G11B5/73(2006.01)

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

G11B5/48(2006.01)

2024.05.13

G11B5/00(2006.01)

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2022/0304082022.05.21

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/146571EN2023.08.03

(71)申请人西部数据技术公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人W·范T·W·克林顿

权利要求书3页说明书9页附图18页

(54)发明名称

包括带有扩散屏障的近场换能器的热辅助

磁记录(HAMR)写入头及其制作方法

(57)摘要

一种热辅助磁记录(HAMR)写入头包括主极、

波导、至少一个介电基质层以及设置在该波导和

该主极之间的近场换能器。该近场换能器嵌入在

至少一个介电基质层中。该近场换能器包括天线

和热分流件。该热分流件包括与该天线直接接触

的热分流件主体部分以及横向围绕该热分流件

主体部分并且设置在该热分流件主体部分和该

至少一个介电基质层之间的金属分流扩散屏障。

A

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CN118235200A权利要求书1/3页

1.一种热辅助磁记录(HAMR)写入头,包括:

主极;

波导;

至少一个介电基质层;和

近场换能器,所述近场换能器设置在所述波导和所述主极之间,其中所述近场换能器

嵌入在至少一个介电基质层中;

其中所述近场换能器包括:

天线;和

热分流件,其中所述热分流件包括与所述天线直接接触的热分流件主体部分以及横向

围绕所述热分流件主体部分并且设置在所述热分流件主体部分和所述至少一个介电基质

层之间的金属分流扩散屏障。

2.根据权利要求1所述的HAMR写入头,其中所述至少一个介电基质层包括:

嵌入有所述天线的第一介电基质层;以及

嵌入有所述热分流件的第二介电基质层,

3.根据权利要求2所述的HAMR写入头,其中所述天线的平坦表面与所述第一介电基质

层和所述第二介电基质层之间的界面共面。

4.根据权利要求2所述的HAMR写入头,其中所述热分流件主体部分通过所述金属分流

扩散屏障与所述第二介电基质层横向间隔开,并且所述热分流件主体部分不直接接触所述

第二介电基质层。

5.根据权利要求2所述的HAMR写入头,其

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