薄膜制备技术演示文稿.pptVIP

磁控溅射方法典型的工作条件为：工作气压0.5Pa，靶电压600V，靶电流密度20mA/cm2，薄膜沉积速率2?m/min。ParametersforMagnetronSputteringDepositionpressure:10-3to0.1Pa(10-5to10-3torr)Depositionrate:0.2~2?m/min(10timeshigherthanconventionalsputtering)Depositiontemperature:100to150oC第62页，共130页。第63页，共130页。设备名称：三靶多功能磁控溅射仪磁控溅射镀膜机第64页，共130页。实际的操作中常常需要进行化合物薄膜的制备，例如TiN、Al2O3、TiAlN等，在采用溅射法制备化合物薄膜时，可以考虑直接使用化合物作为溅射靶材。然而这里存在一个问题。我们知道，利用蒸发法制备化合物或合金薄膜时，常常要考虑薄膜成分偏离蒸发源成分的问题，也就是说，在化合物的蒸发过程中，蒸发出来的物质蒸气可能具有完全不同于固态或液态化合物的化学成分，可想而知，当这些蒸气在基体表面凝结成膜后，其成分将与原蒸发物质产生偏离。溅射化合物靶材同样会发生上述气态或固态化合物分解的情况。此时沉积得到的薄膜往往在化学成分上与靶材有很大差别，电负性较强的元素的含量一般会低于化合物正确的化学计量比。比如，在溅射SnO2、SiO2等氧化物薄膜时，就经常会发生沉积产物中氧含量偏低的情况。3.3.5反应溅射（ReactiveSputtering）第65页，共130页。那么解决的办法呢，既然元素分压小，那我们就可以调整溅射室内的气体组成和压力，在通入Ar气的同时，通入相应的活性气体，例如要生成的化合物薄膜中有O元素存在，那么可以通氧气；有N元素存在，就通氮气，从而抑制了化合物的分解倾向。但是有这么几个问题：一个是有没有合适的化合物靶材？化合物靶的制备工艺比较复杂，成分纯度的控制和高温高压成型技术也存在一系列困难，导致的结果就是靶材一般都比较贵，不合算；所以另一方面，我们也可以采用纯金属作为溅射靶材，同时在工作气体中混入适量的活性气体如O2、N2、NH3、CH4、H2S等，使金属原子与活性气体在溅射沉积的同时生成所需的化合物。第66页，共130页。化合物（氧化物、氮化物）作为沉积材料在溅射、蒸发和传输到基片的过程中，如果是一化合物（如：TiN，SiO2）作为沉积材料会发生：（1）靶材分子分裂：在溅射过程中化合物会分裂。不仅原先的靶材粒子溅到基片上，还会有部分的化合物或单个的成分。（2）膜的特性改变：膜不是100%的靶材材料，还会有其它化合物组成以致改变膜的特性。为避免这个，反应气体被加入工艺过程中，氧化物加氧气，氮化物加氮气。所以分裂的氧化物或氮化物以结合成原靶材的化合物了。反应可能会在基片或靶材表面上。第67页，共130页。TiN作为沉积材料TiN溅射，它被分裂成Ti原子和N原子●N原子反应直接变成N2●N2不活跃，并可能被抽出去●金属态的Ti溅射到基片上。TiNx（x1）沉积●加入反应气体可以弥补这点。氧化物当从SiO2靶或靶溅射氧化物（如SiO2），氧气作为工艺气体被加入。反应气体的量一般是非常小的（1sccm左右）●这么小流量的反应气体靠经验来控制；●因此经常用氩气与氧气的混合气体（如：85%Ar+15%O2）。注意：在任何情况下，反应气体量的控制都必须很精确！钛、硅：金属钛和硅跟氮气、氧气的反应均不激烈。●等离子体中，金属原子和气体原子被激活和离子化（气体）；●这个使得金属原子和气体原子（离子）之间反应成为可能。第68页，共130页。（3）靶材表面中毒靶中毒：靶上活性气体的吸附速度大于其溅射速度，靶材发生了反应。●金属靶材会氧化并失去导电性●绝缘靶采用直流溅射是不可能；●直流和射频溅射反应过程的溅射率更低，因为通常纯金属比它们的氧化物有更高的溅射率；●膜的性质可能会改变。靶材中毒主要原因是介质合成速度大于溅射产额（氧化反应气体通入太多），造成导体靶材丧失导电能力，只有提高击穿电压，才能起辉，电压过高容易发生弧光放电。现象：靶电压长时间不能达到正常，一直处于低电压运行状态，并伴有弧光放电；靶表面呈现白色附着物或密布针状灰色放电痕迹。避免靶中毒措施：若要彻底杜绝靶中毒，必须用中频电源或射频电源代替直流电源；减少反应气体的通入量、提高溅射功率，清理靶材上的污染物。第69页，共130页。1、定义在存在反应气体的情况下，溅射靶材时，靶材料会与反应气体反应形成化合物（如氧化物或