高纯氢氧化铟、高纯氧化铟化学分析方法 第1部分：砷和锑含量的测定 原子荧光光谱法.docxVIP

*

《高纯氢氧化铟、高纯氧化铟化学分析方法第1部分：砷和锑含量的测定原子荧光光谱法》标准整合修订发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheIntegratedRevisionoftheStandard“MethodsforChemicalAnalysisofHighPurityIndiumHydroxideandHighPurityIndiumOxide—Part1:DeterminationofArsenicandAntimonyContent—AtomicFluorescenceSpectrometry”

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《高纯氢氧化铟、高纯氧化铟化学分析方法第1部分：砷和锑含量的测定原子荧光光谱法》整合修订的背景、目的、核心内容及其对行业发展的深远意义。高纯氢氧化铟与氧化铟是新型半导体、透明导电薄膜及高端催化材料的关键前驱体，其纯度直接决定了下游光电产品的性能与可靠性。其中，砷（As）和锑（Sb）作为关键杂质元素，需被严格管控。为响应《国家标准化发展纲要》关于优化标准体系、解决标准间重复不协调问题的要求，本项目对原有的四项独立分析方法标准（GB/T23362.1-2009、GB/T23362.3-2009、GB/T23364.1-2009、GB/T23364.3-2009）进行了系统性整合修订。修订后的标准统一了技术框架，优化了测定范围，并严格遵循GB/T1.1-2020等基础标准规范了文本结构。本报告详细分析了标准修订的技术必要性、主要修订内容，并介绍了主导修订工作的标准化技术委员会。结论指出，该标准的整合发布将显著提升分析方法标准的科学性、协调性与实用性，为保障我国铟基高纯材料质量、支撑半导体及光电产业的高质量发展提供坚实的技术依据。

关键词：高纯氢氧化铟；高纯氧化铟；化学分析；砷；锑；原子荧光光谱法；标准整合；标准化技术委员会

Keywords:HighPurityIndiumHydroxide;HighPurityIndiumOxide;ChemicalAnalysis;Arsenic;Antimony;AtomicFluorescenceSpectrometry;StandardIntegration;StandardizationTechnicalCommittee

正文

一、标准修订的背景与目的意义

1.1高纯氢氧化铟与氧化铟的产业重要性

高纯氢氧化铟[In(OH)?]作为关键中间体，是制备高纯氧化铟（In?O?）的重要前驱体。高纯氧化铟是一种性能卓越的n型宽禁带透明半导体材料，以其高电导率、高可见光透过率及优异的催化活性，在多个前沿科技领域扮演着核心角色。其主要应用包括：

*光电显示与新能源：作为制备ITO（氧化铟锡）靶材和TCO（透明导电氧化物）薄膜的基础材料，广泛应用于液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）、触摸屏及太阳能电池等，是信息显示和光伏产业不可或缺的原材料。

*气体传感与环境监测：基于其表面电阻对气体的敏感性，氧化铟被用于制造高灵敏度的一氧化碳、甲烷、臭氧等气体传感器，对提升环境安全与公共健康监测水平具有重要意义。

*高端催化与通信技术：在催化领域，可作为催化剂或载体参与多种有机合成反应；同时，其适宜的高频介电特性使其在5G/6G通信的毫米波射频器件（如滤波器）中展现出潜在应用价值。

根据行业数据，2024年全球高纯氢氧化铟和高纯氧化铟的市场规模已达数亿美元，其中约70%用于电子行业。我国是全球最主要的生产国，产量约占全球60%，产业集中在湖南、湖北、江苏、广东等地，拥有株洲科能、先导电子等一批骨干企业。随着半导体、柔性电子及物联网技术的持续突破，预计全球对该类高纯材料的需求将以年均8%-10%的速度增长。

1.2标准整合修订的必要性

（1）严格控制杂质是产业高质量发展的内在需求。

在半导体及高端电子材料领域，微量杂质元素对产品电学性能、稳定性和可靠性的影响是决定性的。砷（As）和锑（Sb）作为常见的伴生杂质，若在高纯氢氧化铟/氧化铟中uncontrolled，将严重劣化最终产品的导电性、迁移率及长期稳定性。现行产品标准GB/T23361-2009《高纯氢氧化铟》和GB/T23363-2009《高纯氧化铟》已对4N（99.99%）、5N（99.999%）等不同纯度等级产品中的As、Sb含量设定了严苛的限量要求（如5N产品要求≤0.00005%）。因此，建立准确、可靠、统一的分析方法标准，是确保产品符合质量要求、推动产业链提质升级的基础性技术支撑。

（2）优化标准