CN118472036A 抑制开关振荡的沟槽型碳化硅mosfet器件及制作方法 （电子科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118472036A

(43)申请公布日2024.08.09

(21)申请号202410648853.X

(22)申请日2024.05.23

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区（西区）

西源大道2006号

(72)发明人邓小川孙睿哲叶子轩李旭

李轩张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232

专利代理师敖欢

(51)Int.Cl.

H01L29/78(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L23/552(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图10页

(54)发明名称

抑制开关振荡的沟槽型碳化硅MOSFET器件

及制作方法

(57)摘要

本发明提供了一种抑制开关振荡的沟槽型

碳化硅MOSFET器件及其制作方法，器件结构包

括：N+衬底、N型漂移区、P‑阱区、N+源区、P+源区、

电流扩展层、P+掩蔽层、凹型P‑基区、栅介质、厚

栅介质层、倒凸型多晶硅、栅极、源极、漏极。本发

明在具有接地P+掩蔽层的碳化硅沟槽栅MOSFET

器件基础上，引入倒凸型栅槽、倒凸型多晶硅、栅

槽底部的厚栅介质层、以及凹型P‑基区，通过调

节源电位区，改善器件在不同的漏源电压下栅漏

电容大小，从而优化器件动态开关关断过程中不

同阶段的dV/dt。当器件刚刚关断时，dV/dt较大，

A有更快的关断速度，降低了初始关断过程的关断

6损耗；当器件V到达一定值时，dV/dt较小，降低

3ds

0

2了浪涌电压和电磁干扰噪声。器件的短路耐受时

7

4

8间也因此增加。

1

1

N

C

CN118472036A权利要求书1/2页

1.一种抑制开关振荡的沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：N+衬底(11)、位

于N+衬底(11)上方的N型漂移区(10)、位于N型漂移区(10)上方的凹型P‑基区(13)，凹型P‑

基区(13)的上方设有倒凸型栅槽，倒凸型栅槽的内部为倒凸型多晶硅(8)，倒凸型多晶硅

(8)的底部和凹型P‑基区(13)之间为厚栅介质层(14)，倒凸型多晶硅(8)左右两侧为栅介质

(9)，所述倒凸型多晶硅(8)和厚栅介质层(14)的底部与凹型P‑基区(13)内部的凹槽配合，

所述倒凸型栅槽左下方和右下方设有P+掩蔽层(7)，电流扩展层(6)位于P+掩蔽层(7)上方，

P‑阱区(5)位于电流扩展层(6)上方，P+源区(3)和N+源区(4)位于P‑阱区(5)上方，栅极金属

(2)位于倒凸型多晶硅(8)上方，源极金属(1)位于P+源区(3)和N+源区(4)上方，且源极金属

(1)同时和P+源区(3)、和N+源区(4)形成欧姆接触，漏极金属(12)位于N+衬底(11)下方，且

漏极金属(12)与N+衬底(11)形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种抑制开关振荡的沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于：

所述P+掩蔽层(7)通过版图上的设计与源极金属(1)相连。

3.根据权利要求1所述的一种抑制开关振荡的沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于：

所述P+掩蔽层(7)、凹型P‑基区(13)的工艺为在刻蚀倒凸型栅槽之前，在槽底垂直离子注入

形成；凹型P‑基区(13)样貌最初为矩形，在刻蚀倒凸型栅槽之后变成凹型；厚栅介质层(14)

形成在刻蚀倒凸型栅槽之后；或者刻蚀倒凸型栅槽进行离子注入形成凹型P基区