CN118235534A 包含延伸穿过漏极选择层级隔离结构的字线接触件的三维存储器器件及其制作方法 （桑迪士克科技有限责任公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118235534A

(43)申请公布日2024.06.21

(21)申请号202380014363.8(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理

(22)申请日2023.05.01有限公司11205

专利代理师朱颖臧建明

(30)优先权数据

(51)Int.Cl.

17/663,9512022.05.18US

H10B43/50(2006.01)

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

H10B41/50(2006.01)

2024.05.09

H10B43/27(2006.01)

(86)PCT国际申请的申请数据H10B41/27(2006.01)

PCT/US2023/0205562023.05.01H10B43/10(2006.01)

H10B41/10(2006.01)

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/224796EN2023.11.23

(71)申请人桑迪士克科技有限责任公司

地址美国德克萨斯州

(72)发明人佐野道明伊藤康一森拓也

权利要求书3页说明书25页附图58页

(54)发明名称

包含延伸穿过漏极选择层级隔离结构的字

线接触件的三维存储器器件及其制作方法

(57)摘要

一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层

的交替堆叠，其中该导电层包括字线和位于该字

线上方的漏极选择栅极电极，该漏极选择栅极电

极包含多个漏极选择层级导电条带；竖直延伸穿

过该交替堆叠的存储器堆叠结构；位于漏极选择

层级导电条带的相应相邻对之间的漏极选择层

级隔离结构；以及包括第一层接触通孔结构和第

一管状绝缘间隔件的第一横向绝缘的接触通孔

组件。该第一横向绝缘的接触通孔组件接触该字

线中的第一字线的顶部表面，并且该第一横向绝

缘的接触通孔组件横向接触该漏极选择层级隔

A离结构中的第一漏极选择层级隔离结构。

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CN118235534A权利要求书1/3页

1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：

绝缘层和导电层的交替堆叠，其中所述导电层包括字线和位于所述字线上方的漏极选

择栅极电极，所述漏极选择栅极电极包括多个漏极选择层级导电条带；

存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述交替堆叠；

漏极选择层级隔离结构，所述漏极选择层级隔离结构位于漏极选择层级导电条带的相

应相邻对之间；和

第一横向绝缘的接触通孔组件，所述第一横向绝缘的接触通孔组件包括第一层接触通

孔结构和第一管状绝缘间隔件，

其中：

所述第一横向绝缘的接触通孔组件接触所述字线中的第一字线的顶部表面；并且

所述第一横向绝缘的接触通孔组件横向接触所述漏极选择层级隔离结构中的第一