N通道逻辑电平PowerTrench MOSFET产品概述与特性.pdfVIP

2013年5月

FDP8030L/FDB8030L



N通道逻辑电平PowerTrenchMOSFET

概述特性

此N沟道逻辑电平MOSFET专门设计用于提高使用同步•80A，30V。RDS(ON)=0。0035@VGS=10

或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。VRDS(ON)=0。0045@VGS=4。5V

•在高温下指定了关键的直流电气参数

这些MOSFET具有比其他具有相似RDS(on)规格的

MOSFET更快的开关速度和更低的栅极电荷。

•坚固的源‑漏二极管可以消除对外部齐纳二极管

结果是一种易于驱动（即使在非常高频率下）且更安全瞬态抑制器的需求

的MOSFET，以及整体效率更高的DC/DC电源设计。

•高性能沟槽技术实现极低的RDS(ON)

•175最大结温

DD

GG

GDTO‑220STO‑263AB

SFDP系列FDB系列S

o

T=25C除非另有说明

绝对最大额定值A

符号参数单位

VDSS漏源电压30V

VGSS栅源电压20V

ID漏极电流–连续(注1)80A

–脉冲(注1)300

PD总功耗@T=25C187W

C

超过25°C降额使用1.25WC

JSTG

T，T工作和结温范围‑65到+175