CN118688980A 隐形眼镜结构及其制作方法、智能隐形眼镜系统 （北京纳米能源与系统研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118688980A

(43)申请公布日2024.09.24

(21)申请号202410613202.7

(22)申请日2024.05.16

(71)申请人北京纳米能源与系统研究所

地址101400北京市怀柔区雁栖经济开发

区杨雁东一路8号

(72)发明人陈翔宇刘兆琦

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限

公司11283

专利代理师肖冰滨

(51)Int.Cl.

G02C7/04(2006.01)

B29D11/00(2006.01)

B41M5/00(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

隐形眼镜结构及其制作方法、智能隐形眼镜

系统

(57)摘要

本发明实施例提供一种隐形眼镜结构及其

制作方法、智能隐形眼镜系统，属于隐形眼镜技

术领域。该隐形眼镜结构包括能量收集器结构、

隐形眼镜基底结构及在隐形眼镜基底结构的表

面的用于连接能量收集器结构和外部负载的导

线。能量收集器结构安装在隐形眼镜基底结构的

表面；能量收集器结构包括半导体晶片、在半导

体晶片的第一表面的预设位置上的第一电极层

和在半导体晶片的第二表面的预设位置上的第

二电极层。本发明实施例提供的隐形眼镜结构，

通过其配置的能量收集器结构，实现了眼动能量

A的收集和转换，为其智能功能提供了持续稳定的

0电源。这使得智能隐形眼镜结构能够实现长时间

8

9

8的使用，而无需频繁更换电池或充电，给佩戴者

8

6

8带来便利、舒适的使用体验。

1

1

N

C

CN118688980A权利要求书1/2页

1.一种隐形眼镜结构，其特征在于，所述隐形眼镜结构包括能量收集器结构、隐形眼镜

基底结构及在所述隐形眼镜基底结构的表面的用于连接所述能量收集器结构和外部负载

的导线，

所述能量收集器结构安装在所述隐形眼镜基底结构的表面，

所述能量收集器结构包括半导体晶片、在所述半导体晶片的第一表面的预设位置上的

第一电极层和在所述半导体晶片的第二表面的预设位置上的第二电极层，所述第一表面与

所述第二表面相对应。

2.根据权利要求1所述的隐形眼镜结构，其特征在于，所述第一电极层包括多个电极，

所述第二电极层包括多个电极，

所述第一电极层的多个电极与所述第二电极层的多个电极相对应。

3.根据权利要求2所述的隐形眼镜结构，其特征在于，所述半导体晶片包括多个晶片，

所述半导体晶片的多个晶片与所述所述第二电极层的多个电极相对应。

4.根据权利要求2所述的隐形眼镜结构，其特征在于，所述导线包括第一导线和第二导

线，

所述第一导线用于连接所述第一电极层上的多个电极，

所述第二导线用于线连接所述第二电极层上的多个电极。

5.根据权利要求1‑4中任一项所述的隐形眼镜结构，其特征在于，所述半导体晶片的材

料为单晶硅、掺杂硅、氮化镓或砷化镓，和/或

所述半导体晶片的厚度为50微米到100微米之间。

6.一种隐形眼镜结构的制作方法，其特征在于，所述隐形眼镜结构的制作方法包括：

采用磁控溅射技术，在半导体晶片的第一表面的预设位置沉积第一电极层，在所述半

导体晶片的第二表面的预设位置制作第二电极层，形成能量收集器结构，所述第一表面与

所述第二表面相对应；

将隐形眼镜的基底材料注入隐形眼镜的模具中，形成隐形眼镜基底结构；

使用气溶胶喷雾喷印技术，在所述隐形眼镜基底结构的表面打印用于连接所述能量收

集器结构和外部负载的导线；以及

通过银浆，将所