CN118658919A 背接触异质结电池及其制作方法 （华能(嘉峪关)新能源有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118658919A

(43)申请公布日2024.09.17

(21)申请号202410695075.XH01L31/0352(2006.01)

H01L31/20(2006.01)

(22)申请日2024.05.31

(71)申请人华能（嘉峪关）新能源有限公司

地址735106甘肃省嘉峪关市嘉东工业园

区金港路1999号

申请人中国华能集团清洁能源技术研究院

有限公司

(72)发明人罗丽珍赵东明田鸿翔周颖

肖平郝志丹

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事

务所(普通合伙)11201

专利代理师宋合成

(51)Int.Cl.

H01L31/0747(2012.01)

H01L31/0376(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

背接触异质结电池及其制作方法

(57)摘要

本申请提出一种背接触异质结电池及其制

作方法，其中，背接触异质结电池包括：衬底，衬

底具有相对的向光面和背光面；依次设置于向光

面的隧穿氧化层和多晶硅层；依次设置于背光面

的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，非

晶硅发射极层中包括第一发射极，第一发射极为

非晶硅发射极；其中，衬底和多晶硅层的导电类

型为第一导电类型，第一发射极的导电类型为第

二导电类型。通过在背光面侧的多晶硅层上沉积

非晶硅发射极层，可以实现TOPCon技术和HJT技

术的结合，提高电池效率。

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C

CN118658919A权利要求书1/1页

1.一种背接触异质结电池，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的向光面和背光面；

依次设置于所述向光面的隧穿氧化层和多晶硅层；

依次设置于所述背光面的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，所述非晶硅发射

极层中包括第一发射极，所述第一发射极为非晶硅发射极；

其中，所述衬底和所述多晶硅层的导电类型为第一导电类型，所述第一发射极的导电

类型为第二导电类型。

2.根据权利要求1所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述非晶硅发射极层中还包

括：

第二发射极，所述第二发射极的导电类型为所述第一导电类型，所述第一发射极与所

述第二发射极呈交叉指型分布。

3.根据权利要求2所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述第二发射极为多晶硅发

射极或非晶硅发射极。

4.根据权利要求2所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结电池还包

括：

设置于所述非晶硅发射极层远离所述背光面一侧的金属导电膜层，所述金属导电膜层

中金属材料的图形与所述第一发射极和所述第二发射极的图形相同。

5.根据权利要求4所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结电池还包

括：

设置于所述非晶硅发射极层与所述金属导电膜层之间的钝化层；

或者，设置于所述金属导电膜层远离所述背光面一侧的钝化层。

6.根据权利要求4所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述金属导电膜层中的金属

材料为具有导电性的金属中的至少一种。

7.根据权利要求1‑6任一项所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结

电池还包括：

设置于所述向光面侧多晶硅层远离所述向光面一侧的减反光层和钝