CN118424244A 一种基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法 （北京信息科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118424244A

(43)申请公布日2024.08.02

(21)申请号202410476444.6

(22)申请日2024.04.19

(71)申请人北京信息科技大学

地址100192北京市海淀区清河小营东路

12号

(72)发明人朴林华刘珺宇马炫霖王灯山

(74)专利代理机构北京邦创至诚知识产权代理

事务所(普通合伙)11717

专利代理师张宇锋

(51)Int.Cl.

G01C19/58(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制

作方法

(57)摘要

本发明提供一种基于无掩膜技术的柔性热

流陀螺的制作方法，包括清洗有机玻璃衬底和聚

酰亚胺基底，用固体胶将聚酰亚胺基底和有机玻

璃衬底粘在一起，通过涂胶，曝光，显影在聚酰亚

胺薄膜上形成图案，使用激光切割机对基底进行

切割形成丝与电极以及腔体结构，在聚酰亚胺薄

膜上分别溅射铬、铂、金三层金属，用NMP溶液清

洗剥离光刻胶，并把基底层从衬底上剥离下来，

键合引线，并进行封装，形成热流陀螺的最终结

构。本发明具有工艺简单、成本低，更容易实现腔

体结构和金属丝的结构，更容易地实现热流陀螺

A的柔性结构，实现曲面测量，工艺生产效率高、一

4致性好等优点。

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CN118424244A权利要求书1/1页

1.一种基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：选取有机玻璃作为衬底，并用去离子水对所述有机玻璃衬底进行清洗，并用氮气吹

干；

S2：选取聚酰亚胺薄膜作为柔性基底，用酒精对聚酰亚胺基底清洗，并用氮气吹干；

S3：用固体胶将聚酰亚胺薄膜基底和有机玻璃衬底粘在一起；

S4：通过涂胶、光刻、显影在所述聚酰亚胺薄膜基底上形成图案；

S5：使用激光切割机对聚酰亚胺薄膜基底进行激光切割形成丝与电极以及空腔的结

构；

S6：在聚酰亚胺薄膜上分别溅射铬、铂、金三层金属；

S7：用NMP溶液清洗剥离光刻胶，并把基底层从衬底上剥离下来；

S8：键合引线，并进行封装。

2.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，所

述聚酰亚胺基底的厚度为40μm～60μm。

3.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，有

机玻璃衬底的厚度为5mm～10mm。

4.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，所

述光刻胶的厚度为1μm～1.2μm。

5.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，步

骤S4中的形成的图案留有激光切割的余量。

6.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，所

述柔性热流陀螺的加热器与热敏电阻由黏附层、敏感层、键合层依次溅射而成。

7.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，步

骤S6中铬层的厚度范围为20nm～40nm。

8.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，步

骤S6中铂层的厚度范围为100nm～200nm。

9.根据权利要求1所述的基于无掩膜技术的柔性热流陀螺的制作方法，其特征在于，步

骤S6中金层的厚度范围为60nm～100nm。

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