2025年（应用物理学）半导体器件物理试题及答案.docVIP

2025年（应用物理学）半导体器件物理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

2.本征半导体的导电能力取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.以上都是

3.P型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

4.N型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.质子

5.二极管的正向导通电压一般为（）

A.0.1VB.0.3VC.0.7VD.1V

6.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

7.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

8.半导体器件的反向电流随温度升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

9.稳压管工作在（）

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.放大区

10.集成运放的输入级一般采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路

C.共基极放大电路D.差分放大电路

答案：1.C2.A3.B4.A5.C6.A7.C8.A9.C10.D

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

2.杂质半导体分为（）

A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体D.化合物半导体

3.PN结的特性有（）

A.单向导电性B.电容效应C.击穿特性D.放大特性

4.二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.反向击穿电压D.正向导通电压

5.三极管的三个极分别是（）

A.发射极B.基极C.集电极D.源极

6.三极管的主要参数有（）

A.电流放大倍数B.反向饱和电流C.穿透电流D.极间反向电流

7.场效应管分为（）

A.结型场效应管B.绝缘栅型场效应管C.双极型场效应管D.单极型场效应管

8.半导体器件的噪声来源有（）

A.热噪声B.散粒噪声C.分配噪声D.闪烁噪声

9.稳压管的主要参数有（）

A.稳定电压B.稳定电流C.最大稳定电流D.动态电阻

10.集成运放的组成部分包括（）

A.输入级B.中间级C.输出级D.偏置电路

答案：1.ABC2.AB3.ABC4.ABC5.ABC6.ABCD7.AB8.ABCD9.ABCD10.ABCD

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.本征半导体在任何温度下都不导电。（）

2.PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止。（）

3.三极管的电流放大倍数只与管子本身结构有关，与工作条件无关。（）

4.集成运放的开环电压放大倍数越大越好。（）

答案：1.×2.√3.×4.×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体是一种导电能力介于____和____之间的物质。

2.杂质半导体中，P型半导体是在本征半导体中掺入____价杂质元素形成的，N型半导体是在本征半导体中掺入____价杂质元素形成的。

3.PN结加正向电压时，空间电荷区____，电流____。

4.二极管的伏安特性曲线包括____区、____区和____区。

5.三极管的三种工作状态是____、____和____。

6.场效应管的栅极与源极之间的电阻____。

7.半导体器件的击穿现象分为____击穿和____击穿。

8.稳压管正常工作时应工作在____区。

9.集成运放的输入失调电压是指____。

10.集成运放的共模抑制比是指____。

答案：1.导体、绝缘体2.三、五3.变窄、增大4.正向导通、反向截止、反向击穿5.放大、截止、饱和6.很大7.雪崩、齐纳8.反向击穿9.输入电压为零时，输出电压的直流分量上10.差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比

五、简答题（总共4题，每