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美批准韩企向中国出口芯片制造设备

一、事件概述：美颁2026年度许可证韩企对华芯片设备出口获短期松绑

2025年12月底，美国政府向三星电子、SK海力士两家韩国半导体企业颁发2026年度出口许可证，允许其向位于中国的生产工厂出口美国制造的芯片制造设备。这是美国在2025年8月撤销韩企相关豁免后，对芯片设备出口管制的首次“松绑”，为两家企业在华工厂的正常运营提供了短期政策保障。

作为全球半导体存储芯片领域的龙头企业，三星与SK海力士在中国的产能布局对全球供应链具有关键意义：三星西安工厂是全球最大的NAND闪存生产基地，月产能约12万片晶圆，占全球NAND总产能的30%以上；SK海力士无锡工厂是全球核心DRAM生产基地，月产能8万片晶圆，供应全球20%的DRAM需求。2025年8月美国撤销豁免后，两家企业在华工厂的设备引进陷入停滞风险——若无法及时获取美国设备，工厂的维护、升级及产能扩张将受影响，可能引发全球存储芯片供应短缺。此次年度许可证的落地，直接化解了这一风险，确保了全球存储芯片供应链的短期稳定。

根据美国商务部工业与安全局（BIS）的要求，三星与SK海力士需提交2026年度设备采购计划，明确所需设备的类型、数量及用途，美国按年度审批。与此前“逐批申请”的模式相比，新制度大幅简化了流程，降低了企业的运营不确定性。但知情人士透露，此次许可证仅覆盖“成熟制程”设备（如12nm及以上），不包括7nm及以下的先进制程设备，限制了企业在华工厂的技术升级空间。

二、政策背景：从“VEU豁免”到“年度审批”的管控逻辑演变

要理解此次政策调整，需回溯美国对华芯片出口管制的政策脉络：

VEU制度的出台：平衡“技术限制”与“盟友利益”

2024年，美国为限制中国获取先进半导体技术，推出《芯片与科学法案》，将多种半导体设备、技术纳入对华出口管制清单。但为避免影响三星、SK海力士等盟友企业的全球运营，美国同步推出“经验证最终用户（VEU）”制度——被列入清单的企业可从美国进口指定管制物项，无需单独申请许可证。三星、SK海力士及台积电均受益于此，其在华工厂得以正常引进美国设备。

2025年8月豁免撤销：以“技术扩散”为名收紧管制

2025年8月，美国以“防止美国技术通过韩企在华工厂流入中国企业”为由，撤销了三星和SK海力士的VEU豁免。相关措施于12月正式生效，意味着此后韩企向中国工厂运送美国设备需逐次申请许可证。这一举措引发韩企强烈担忧：逐批申请流程复杂、周期长，可能导致设备无法及时到位，影响工厂产能。

2025年底政策调整：年度审批的“折中方案”

在韩企的持续沟通下，美国BIS于2025年12月修改政策，推出“年度审批”制度。与VEU制度相比，新制度更严格（需每年申请、明确设备计划）；但与逐批申请相比，更简便（降低操作成本）。这一调整是美国在“技术限制”与“盟友利益”之间的权衡——既保留了对芯片设备的管控权，又缓解了韩企的运营压力，避免因设备问题导致全球供应链动荡。

三、业内反应：短期利好与长期担忧交织

企业层面：谨慎应对，聚焦运营稳定

三星和SK海力士均拒绝就此次政策变化置评，仅表示“将遵守各国法律法规，维持全球供应链稳定”。但业内人士透露，两家企业已启动2026年度设备采购计划，优先保障在华工厂的成熟制程设备需求。对于先进制程设备的缺口，企业可能通过“技术转移”或“本地化采购”弥补——例如，三星计划将部分先进制程产能转移至越南，SK海力士则加大与中国本土设备企业的合作力度。

行业层面：短期缓解压力，长期不确定性仍存

利好方面：半导体行业分析机构Gartner指出，年度审批制度降低了企业的运营不确定性，确保了存储芯片的供应稳定。2025年四季度，全球NAND闪存价格因产能担忧上涨10%，此次政策松绑后，价格有望回落至合理区间，利好下游消费电子、云计算企业。

担忧方面：《朝鲜日报》援引韩企高管观点称，年度审批制度的局限性明显——企业难以准确预测未来一年的设备需求（受市场波动、技术升级影响），若计划与实际偏差较大，可能导致设备短缺或闲置。此外，政策的持续性未知：2026年度许可证到期后，美国是否会延续这一政策，仍存在变数。

中国市场：自主可控仍是核心方向

此次政策变化再次凸显中国半导体产业的“卡脖子”风险——尽管韩企在华工厂贡献了大量产能，但核心设备仍依赖美国。近年来，中国已加大半导体设备研发投入：中微公司的5nm刻蚀机、北方华创的12nm沉积设备已达到国际先进水平，但在高端光刻机（如EUV）、离子注入机等领域仍有差距。加快自主研发，实现核心设备国产化，仍是中国半导体产业的核心任务。

四、全球供应链影响：短期稳定与长期挑战并存

短期影响：存储芯片供应稳定，下游行业受益

三星和SK海力士在华工厂的正常运营，将确保全球存储芯片的供应稳定。对于下游企业