CN114725211A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114725211A(43)申请公布日2022.07.08

(21)申请号202110002380.2

(22)申请日2021.01.04

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人方俊斌潘贞维

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书3页附图1页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管及其制作方法

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CN114725211A本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管的方法为，首先形成一缓冲层于基底上，然后进行一现场掺杂制作工艺以形成第一含氟层于缓冲层上，形成一阻障层于第一含氟层上，形成第二含氟层于阻障层上，形成一栅极电极于第二含氟层

CN114725211A

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CN114725211A权利要求书1/2页

1.一种制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：

形成缓冲层于基底上；

形成第一含氟层于该缓冲层上；

形成阻障层于该第一含氟层上；

形成栅极电极于该阻障层上；以及

形成源极电极以及漏极电极于该栅极电极两侧。

2.如权利要求1所述的方法，另包含进行现场掺杂制作工艺以形成该第一含氟层。

3.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成非刻意掺杂缓冲层于该缓冲层上；以及

形成该阻障层于该非刻意掺杂缓冲层上。

4.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含III-V族半导体。

5.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含梯度缓冲层。

6.如权利要求5所述的方法，其中该缓冲层包含多个梯度氮化铝镓(AlGaN)层。

7.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含超晶格缓冲层。

8.如权利要求7所述的方法，其中该缓冲层包含多个掺杂碳的氮化镓层。

9.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成第二含氟层于该阻障层上；

图案化该第二含氟层；以及

形成该栅极电极于该第二含氟层上。

10.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlGa??xN)。

11.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT),其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

第一含氟层，设于该缓冲层上；

阻障层，设于该第一含氟层上；

栅极电极，设于该阻障层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。

12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

非刻意掺杂缓冲层，设于该缓冲层上；以及

该阻障层设于该非刻意掺杂缓冲层上。

13.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含III-V族半导体。

14.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含梯度缓冲层。

15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含多个梯度氮化铝镓(AlGaN)层。

16.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含超晶格缓冲层。

17.如权利要求16所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含多个掺杂碳的氮化镓层。

18.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，另包含第二含氟层，设于该阻障层以及

2/2页CN114725211A权利要求

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该栅极电极之间。

19.如权利要求18所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一含氟层宽度大于该第二含氟层宽度。

20.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlGa?xN)。

CN114725211A说明书1/3页

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高电子迁移率晶体管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

[0002]以氮化镓基材料(GaN-basedmaterials)为基础的高电子