CN114667602A 三维存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114667602A(43)申请公布日2022.06.24

(21)申请号202180006365.3

(22)申请日2021.10.21

(66)本国优先权数据

202011134486.X2020.10.21CN

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.05.09

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2021/1252222021.10.21

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2022/083678ZH2022.04.28

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师张雪张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2017.01)

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人吴林春

(54)发明名称

三维存储器及其制作方法

(57)摘要

CN114667602A本公开实施例提供一种三维存储器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一基底结构；形成第一沟道孔于基底结构中；形成第三保护层于第一牺牲层被第一沟道孔所暴露的侧壁；形成第二牺牲层于第一沟道孔中；形成第一叠层结构；形成第二沟道孔于第一叠层结构中，第二沟道孔上下贯穿第一叠层结构，且第二沟道孔在底部介质层上的正投影位于第一沟道孔内；去除第二牺牲层；形成沟道结构于第一沟道孔及第二沟道孔中，沟道结构包括沟道层及环绕于沟道层外侧面及外底面的存储叠层；其中，所述沟道结构底部在水平方向上占据的尺寸大于所述

CN114667602A36373839

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